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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-18
09:25
京都 京都工芸繊維大学 Substrate Noise Isolation Improvement by Helium-3 Ion Irradiation Technique in a Triple-well CMOS Process
Ning LiTokyo Tech)・Takeshi InoueS.H.I.Examination & Inspection)・Takuichi HiranoJian PangRui WuKenichi OkadaTokyo Tech)・Hitoshi SakaneS.H.I.Examination & Inspection)・Akira MatsuzawaTokyo TechICD2015-84 CPSY2015-97
 [more] ICD2015-84 CPSY2015-97
pp.75-80
EMCJ, MW, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2015-10-23
15:00
宮城 東北大学 片平キャンパス さくらホール ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計
平野拓一李 寧岡田健一松澤 昭広川二郎安藤 真東工大)・井上 剛坂根 仁住重試験検査EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89
60GHz帯ミリ波CMOSオンチップアンテナはシリコン(Si)基板による損失が大きいという欠点がある。Si基板にヘリウム... [more] EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89
pp.123-127
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
09:00
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討
矢尾裕樹平野拓一李 寧岡田健一松澤 昭広川二郎安藤 真東工大)・井上 剛正岡章賀坂根 仁住重試験検査PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81
Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている. Si結晶に照射したイオンによ... [more] PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81
pp.181-185
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