お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:45
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性
小島一信東北大)・塚田悠介三菱化学)・古川えりか斉藤 真東北大)・三川 豊久保秀一池田宏隆藤戸健史三菱化学)・上殿明良筑波大)・秩父重英東北大ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103
 [more] ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103
pp.15-19
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
pp.19-22
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
09:30
大阪 大阪市立大学 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
神野大樹岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・江夏悠貴長尾 哲三菱化学ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
(10-10) GaNや(20-21) GaN,(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
pp.51-54
CPM 2012-09-25
15:30
東京 機械振興会館 角度多重型ホログラフィックメモリによる1Tbits/inch2記録
石井利樹保坂 誠星沢 拓日立)・田中麻人三菱化学科学技研センターCPM2012-90
大容量と高速データ転送とを可能とする角度多重型ホログラフィックメモリは,次世代光ディスクとして有望である.そこで小型化,... [more] CPM2012-90
pp.25-27
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
2012-01-27
14:38
秋田 秋田大学 手形キャンパス Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・下村康夫三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2011-19
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている.ピーク波長525nmで,250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] EID2011-19
pp.21-24
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:45
高知 高知工科大学 研究教育棟B Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・木島直人三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-28
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して,内部量子効率,フォトルミネッセンス(... [more] EID2010-28
pp.25-28
ED 2009-06-11
13:25
東京 東京工業大学 Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価
伊藤篤史原田 憲河瀬康弘水谷文一三菱化学)・原 誠青木秀充木村千春杉野 隆阪大ED2009-36
 [more] ED2009-36
pp.1-6
ED 2009-04-23
16:10
宮城 東北大学電気通信研究所 [招待講演]塗布型有機半導体材料の開発
大野 玲三菱化学科学技研センターED2009-6
塗布型有機半導体は、大面積化・低コスト化技術としての利点を持つ。我々は、堅牢な骨格を持った顔料系低分子(ベンゾポルフィリ... [more] ED2009-6
pp.23-28
ED 2009-04-23
16:50
宮城 東北大学電気通信研究所 アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性
佐藤和昭大場好弘片桐洋史廣瀬文彦山形大)・荒牧晋司酒井良正三菱化学)・太田員正山口裕二山形大ED2009-7
3位に嵩高いアリール基を置換したチオフェンオリゴマー(6~12量体)を合成した。これらは高い溶解性と優れたFET特性を示... [more] ED2009-7
pp.29-30
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:55
愛知 名古屋工業大学 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価
小林 篤上野耕平下元一馬太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST)・天内英貴長尾 哲堀江秀善三菱化学ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
pp.17-20
R 2007-10-19
15:15
福岡 九州大学 空調設備における室圧制御系設計審査用シミュレータの開発
平間一歩早大)・田中伸宏三宅孝幸三菱化学エンジニアリング)・立野繁之松山久義早大R2007-42
クリーンルームなどの高い清浄度が要求される環境においては,製品の品質を維持するために室内の圧力を厳重に管理し外部からの空... [more] R2007-42
pp.31-36
EMD 2006-12-15
14:40
東京 機械振興会館 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
堀口嵩浩藤田静雄京大)・山雄健史堀田 収京都工繊大)・神原浩久栗原 隆NTT)・藤野正家群馬高専)・長田裕也中條善樹京大)・秋山誠治竹ノ内久美子前田修一三菱化学
 [more] EMD2006-60
pp.15-19
EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2006-08-25
11:10
北海道 千歳アルカディア・プラザ 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性
山雄健史堀田 収京都工繊大)・堀口嵩浩藤田静雄京大)・神原浩久森 裕平栗原 隆NTT)・藤野正家群馬高専)・長田裕也中條善樹京大)・秋山誠治竹ノ内久美子前田修一三菱化学科学技研センター
二光子吸収型3次元光メモリ材料への応用を目指し、二光子吸収過程により分子の結合断裂を生じる有機ホウ素化合物材料を用いて、... [more] EMD2006-39 CPM2006-69 OPE2006-81 LQE2006-46
pp.75-79
EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2006-08-25
11:35
北海道 千歳アルカディア・プラザ オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体Ⅱ
森 裕平神原浩久平林克彦NTT)・栗原 隆NTT/京大)・安達昌文佐々木 豊前田修一三菱化学)・清水正毅檜山爲次郎京大
オリゴチオフェンと芳香族アジドDZDSを利用した、二段階吸収型のホログラムメモリ用材料を提案し、それぞれの分子の励起状態... [more] EMD2006-40 CPM2006-70 OPE2006-82 LQE2006-47
pp.81-86
CPM, EMD, OME
(共催)
2006-06-30
14:00
東京 機械振興会館 オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体
森 裕平神原浩久平林克彦NTT)・栗原 隆NTT/京大)・安達昌文佐々木 豊前田修一三菱化学)・清水正毅檜山為次郎京大
三次元多層光メモリの実現を目的として、二段階の光吸収によるメモリ材料について調べた。二段階光吸収材料としてオリゴチオフェ... [more] EMD2006-9 CPM2006-33 OME2006-43
pp.23-27
CPM, EMD, OME
(共催)
2006-06-30
14:50
東京 機械振興会館 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性
堀口嵩浩藤田静雄京大)・山雄健史堀田 収京都工繊大)・神原浩久栗原 隆中野秀俊森 裕平NTT)・大須賀篤弘長田裕也中條善樹京大)・秋山誠治前田修一三菱化学
大容量 3次元光メモリの実現のため,高効率二光子吸収(TPA)材料に期待が集まっている.今回,大環
状分子であるポルフ... [more]
EMD2006-11 CPM2006-35 OME2006-45
pp.33-38
LQE, PN, OPE, OFT, EMT
(共催)
2006-01-31
13:25
兵庫 神戸大学 InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉導型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング
石川知宏熊井真吾岡崎淳起宇高勝之早大)・天内英貴栗原 香下山謙司三菱化学
次世代フォトニックネットワークとして期待される光パケットスイッチングでは、ナノ秒オーダーでの高速スイッチングや、低消費電... [more] PN2005-63 OFT2005-50 OPE2005-111 LQE2005-126
pp.7-10
PN 2004-08-20
15:55
北海道 KKRはこだて InAlGaAs/InAlAsによる部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)の特性改善
岡崎淳起熊井真吾石川知宏宇高勝之早大)・栗原 香下山謙司三菱化学
 [more] PN2004-47
pp.77-80
 19件中 1~19件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会