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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:00
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察
岡田健治パナソニック・タワージャズセミコンダクターR2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
pp.29-34
SDM 2018-02-08
13:10
東京 東京大学/本郷 [招待講演]ウェハボンディング技術における接合界面への絶縁膜中水分の影響とSiCN膜による抑制効果
手谷道成森永泰規浜田政一竹内雅彦宇家眞司矢野 尚佐藤直昭松本 晋パナソニック・タワージャズセミコンダクターSDM2017-99
 [more] SDM2017-99
pp.11-14
SDM 2016-10-27
13:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発
高橋広樹田中浩司小田真弘安藤三善新添真人パナソニック・タワージャズセミコンダクター)・河合真一浅野拓也吉田 貢山田 徹PSCSSDM2016-77
高い近赤外(NIR)感度と高い変調伝達関数(MTF)を同時に実現する為、2つのフォトダイオードを積層した新たな画素構造(... [more] SDM2016-77
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
14:30
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発
高橋広樹田中浩司小田真弘安藤三善新添真人パナソニック・タワージャズセミコンダクター)・河合真一浅野拓也吉田 貢山田 徹PSCSSDM2016-51 ICD2016-19
高い近赤外(NIR)感度と高い変調伝達関数(MTF)を同時に実現する為、2つのフォトダイオードを積層した新たな画素構造(... [more] SDM2016-51 ICD2016-19
pp.41-44
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