| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2021-01-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 ○新井大輔（名大）・神山祐輔・八木修一・河合弘治・成井啓修（パウデック）・今岡 淳・山本真義（名大）  EE2020-32 |
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し，抵抗負荷でスイッ... [more] | EE2020-32 pp.47-52 |
| WPT | 2014-06-06 14:20 |
東京 | 東京大学 | レクテナ用GaNショットキーバリアダイオードの試作 ○藤原暉雄・小澤雄一郎・田中直浩（IHIエアロスペース）・葛原正明（福井大）・藤森和博（岡山大）・八木修一（POWDEC）・内藤圭亮（日本電業工作）・三原荘一郎・中村修治（宇宙システム開発利用推進機構） WPT2014-26 |
将来の宇宙太陽光発電システムにおいて克服すべき重要な技術課題の一つに受電システムにおけるRF/DC変換効率の高効率化があ... [more] | WPT2014-26 pp.11-16 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 pp.63-66 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| ED | 2008-06-13 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-22 |
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] | ED2008-22 pp.1-4 |
| ED | 2007-06-16 10:35 |
富山 | 富山大学 | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-43 |
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] | ED2007-43 pp.67-70 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]