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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-10-25
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整
掛川智康二瀬卓也サンディスク
本平坦化技術では, コンタクト開孔露光前のPMD段差ゼロを試みた. 孔の微細化が進むに連れて従来のチップ内のPMD段差 ... [more] SDM2017-50
pp.1-7
ICD 2015-04-16
16:05
長野 信州大学 [依頼講演]A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology
Mario SakoTakao NakajimaJunpei SatoKazuyoshi MuraokaMasaki FujiuFumihiro KonoMichio NakagawaMasami MasudaKoji KatoYuri TeradaYuki ShimizuMitsuaki HonmaYoshinao SuzukiYoshihisa WatanabeToshiba)・Ryuji YamashitaSanDisk
A 75mm2 low power 64Gb MLC NAND flash memory capable of 30MB... [more] ICD2015-6
pp.27-30
ICD 2015-04-16
16:40
長野 信州大学 [パネル討論]クラウド時代の半導体メモリー技術
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・宮地幸祐信州大)・高野了成産総研)・高木健誠三輪 達サンディスク
近年の不揮発性メモリの発展、とりわけNAND型フラッシュメモリの高集積化に伴い、HDDからフラッシュメモリを用いたSSD... [more] ICD2015-7
p.31
ICD 2014-04-17
15:50
東京 機械振興会館 [パネル討論]システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ
三輪 達サンディスク)・○新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・藤田 忍東芝)・小池洋紀東北大)・竹内 健中大
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] ICD2014-9
p.45
ICD 2013-04-11
17:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスク
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] ICD2013-11
p.53
ICD 2012-04-23
12:30
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発
柴田 昇神田和重久田俊記磯部克明佐藤 学清水有威清水孝洋杉本貴宏小林智浩犬塚和子金川直晃梶谷泰之小川武志中井 潤東芝)・亀井輝彦サンディスク
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ... [more] ICD2012-1
pp.1-5
ICD 2012-04-23
13:20
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発
亀井輝彦Yan LiSeungpil Lee大和田 健Hao NguyenQui NguyenNima MokhlesiCynthia HsuJason LiVenky Ramachandra東谷政昭Tuan Pham渡邉光恭サンディスク)・本間充祥渡辺慶久東芝
19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメ... [more] ICD2012-2
pp.7-12
ICD 2011-04-18
13:30
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発
福田浩一渡辺慶久牧野英一川上浩一佐藤順平高際輝男金川直晃志賀 仁常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭小川武志岩井 信東芝)・櫻井清史東芝メモリシステムズ)・三輪 達サンディスク
14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NA... [more] ICD2011-4
pp.19-26
ICD 2009-04-14
13:00
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ
二山拓也藤田憲浩常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク)・岩井 信加藤光司福田康之金川直晃安彦尚文東芝)・松本雅英サンディスク)・姫野敏彦橋本寿文東芝
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微... [more] ICD2009-8
pp.39-42
ICD 2009-04-14
13:50
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー
本間充祥東芝)・Cuong Trinhサンディスク)・柴田 昇中野 威小川幹雄佐藤順平竹山嘉和磯部克明東芝)・Binh LeFarookh MoogatNima MokhlesiKenji KozakaiPatrick HongTeruhiko Kameiサンディスク)・岩佐清明東芝
43nmの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったNANDフラッシュメモリーを開発した。1チップの容量として... [more] ICD2009-9
pp.43-46
ICD 2008-04-17
13:55
東京 機械振興会館 43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
中村 大神田和重小柳 勝山村俊雄細野浩司吉原正浩東芝)・三輪 達加藤洋介サンディスク)・Alex MakSiu Lung ChanFrank TsaiRaul CerneaBinh Leサンディスクコーポレーション)・牧野英一平 隆志東芝
43nm CMOS テクノロジを用いた16 ギガビット4 値NAND フラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コン... [more] ICD2008-5
pp.25-30
ICD 2005-04-14
15:45
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
阿部 巧原 毅彦福田浩一金澤一久柴田 昇細野浩司前嶋 洋中川道雄小島正嗣藤生政樹竹内義昭雨宮和美師岡 翠東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク
 [more] ICD2005-10
pp.47-52
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