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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-11
17:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスクICD2013-11
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] ICD2013-11
p.53
ICD 2010-04-23
11:25
神奈川 湘南工大 [招待講演]高速メモリインターフェース ~ DDR/GDDR-DRAM ~
高井康浩エルピーダメモリICD2010-15
DDR/GDDR-DRAMの高速メモリインタフェースにおいて、制約の多いプロセス・デバイス技術で10Gb/s近いデータ転... [more] ICD2010-15
pp.81-82
ICD 2008-04-17
15:20
東京 機械振興会館 [パネル討論]大容量フラッシュメモリの可能性を探る ~ 進行するフラッシュ革命のインパクト ~
梶谷一彦エルピーダメモリ)・篠崎直治Spansion)・柿原俊男日立グローバルストレージテクノロジーズ)・神田和重東芝)・小林三千夫Spansion)・佐圓 真日立)・杉林直彦NEC)・竹内 健東大)・塚澤寿夫東芝ICD2008-7
今やフラッシュメモリはDRAMに代わって半導体微細加工技術を牽引し、その結果得られたビットコストの低減と、大規模な投資に... [more] ICD2008-7
pp.37-38
CPM, ICD
(共催)
2008-01-18
10:30
東京 機械振興会館 実メモリモジュールを模擬したテスト基板におけるDDR2-SDRAMのVrefノイズ許容値の測定手法
植松 裕大坂英樹日立)・西尾洋二波多野 進エルピーダメモリCPM2007-139 ICD2007-150
Vrefの適切なターゲットインピーダンスの設定により,低コストで高いノイズ耐性を有するDDR-SDRAMを実現することを... [more] CPM2007-139 ICD2007-150
pp.65-69
ICD, SDM
(共催)
2006-08-17
16:35
北海道 北海道大学 定在波を用いた17GHzクロック分配法の研究
森 敦佐々木 守汐崎 充岩田 穆広島大)・池田博明エルピーダメモリ
 [more] SDM2006-139 ICD2006-93
pp.81-85
SDM 2006-06-21
13:50
広島 広島大学, 学士会館 光電子分光法によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価
古川寛章多比良昌弘大田晃生中川 博村上秀樹宮崎誠一広島大)・米田賢司堀川貢弘小山邦明三宅秀治エルピーダメモリ
 [more] SDM2006-44
pp.13-17
ICD 2006-04-13
09:20
大分 大分大学 DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~
毛利友紀日立)・大湯靜憲小此木堅祐エルピーダメモリ)・○山田廉一日立
 [more] ICD2006-1
pp.1-6
ICD 2006-04-13
10:10
大分 大分大学 カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発
久保内修一日立超LSIシステムズ)・藤澤宏樹黒木浩二西岡直久利穂吉郎野田浩正エルピーダメモリ)・藤井 勇余公秀之瀧下隆治伊藤孝洋田中 均日立超LSIシステムズ)・中村正行エルピーダメモリ
DDR3 SDRAMにおいて1.6Gbpsデータ転送を実現するため,2つの回路技術を開発した.(1)メモリアレイから同時... [more] ICD2006-3
pp.13-18
ICD, CPM
(共催)
2005-09-08
09:50
東京 機械振興会館 DRAM電源系マクロモデルを使ったパッケージ設計手法の開発
中村 聡須賀 卓日立)・片桐光昭西尾洋二船場誠司廣瀬行敏伊佐 聡エルピーダメモリ
近年、半導体業界では複数の半導体チップを1つのパッケージに実装したMCP(Multi Chip Package)やSiP... [more] CPM2005-87 ICD2005-97
pp.13-18
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:50
北海道 函館国際ホテル 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー
竹村理一郎伊藤清男関口知紀秋山 悟半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・河原尊之日立
セル面積が12F 2のツインセルアレーについて、低電圧での高速書込み動作、長リテンション時間の可能性について検討した。同... [more] SDM2005-152 ICD2005-91
pp.55-60
ICD 2005-04-14
14:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター [招待講演]ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
関口知紀秋山 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・半澤 悟竹村理一郎河原尊之日立
今回提案するメモリーアレー協調設計手法では、複数のデバイスばらつきによる信号劣化を統計的に考慮してDRAMアレーのS/N... [more] ICD2005-8
pp.37-42
ICD 2005-04-14
19:00
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター [パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術
佐藤克之エルピーダメモリ)・山内寛行松下電器)・沼田健二東芝)・赤沢 隆ルネサステクノロジ)・片山泰尚日本IBM
 [more] ICD2005-12
p.59
ICD 2004-12-16
13:00
広島 広島大学 東広島キャンパス [招待講演]DRAMアーキテクチャーの動向と将来展望 ~ システム要求に応えるDRAMアーキテクチャの変遷 ~
安藤 学エルピーダメモリ
 [more] ICD2004-187
pp.25-30
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