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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
14:50
静岡 アクトシティ浜松 縦型AlGaN系UV-B LDの作製
西林到真近藤涼輔松原衣里山田凌矢井本圭紀服部光希岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・三宅秀人三重大)・三好晃平難波江宏一ウシオ電機)・山口顕宏西進商事ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73
pp.84-87
CPM 2023-08-01
09:15
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
紫外線処理したエポキシ系樹脂の表面改質とその効果
齊藤丈靖白樫陽菜西浦拓海阪公立大)・遠藤真一阪公立大/ウシオ電機)・石川有紀阪公立大/サンユレック)・岡本尚樹阪公立大CPM2023-18
 [more] CPM2023-18
pp.25-28
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:55
ONLINE オンライン開催 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定
小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
InGaNはInNとGaNの混晶であり,In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
pp.33-36
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
14:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Ⅳ族非晶質薄膜のフラッシュランプ結晶化における熱力学的考察
松尾直人吉岡尚輝部家 彰兵庫県立大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹ウシオ電機EID2016-20 SDM2016-101
 [more] EID2016-20 SDM2016-101
pp.49-54
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
14:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化
吉岡尚輝部家 彰松尾直人兵庫県立大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹ウシオ電機EID2016-21 SDM2016-102
 [more] EID2016-21 SDM2016-102
pp.55-58
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性
平野翔大部家 彰松尾直人兵庫県立大)・河本直哉山口大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹USHIOEID2015-14 SDM2015-97
 [more] EID2015-14 SDM2015-97
pp.23-26
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
15:20
大阪 阪大 中ノ島センター 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
大音隆男Ryan G. Banal京大)・片岡 研ウシオ電機)・船戸 充川上養一京大ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホ... [more] ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
pp.37-40
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