| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 ○三谷祐一郎・関 春海・浅野孝典・中崎 靖（東芝メモリ）  R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 |
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] | R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 pp.35-38 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 13:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［招待講演］テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証 ○市原玲華・藤井章輔・今野拓也・山口まりな・関 春海・田中洋毅・趙 丹丹・吉村瑶子・齋藤真澄・小山正人（東芝メモリ） SDM2019-50 ICD2019-15 |
テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大... [more] | SDM2019-50 ICD2019-15 pp.85-88 |
| SDM | 2019-06-21 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］電子デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性 ナノ計測の必要性 ○臼田宏冶（東芝メモリ） SDM2019-29 |
[more] | SDM2019-29 p.21 |
| SDM | 2019-02-07 10:45 |
東京 | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 | ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング ○中杉哲郎（東芝メモリ） SDM2018-91 |
本稿ではIEDM2018で報告したNILシングル露光によるhp14nmパターン形成技術について報告する。従来課題とされて... [more] | SDM2018-91 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング ○中杉哲郎（東芝メモリ） SDM2018-88 |
本稿ではIEDM2018で報告したNILシングル露光によるhp14nmパターン形成技術について報告する。従来課題とされて... [more] | SDM2018-88 pp.31-34 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 14:10 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | 0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法 ○東 梨奈・小平行秀（会津大）・松井知己・高橋篤司（東工大）・児玉親亮・野嶋茂樹（東芝メモリ） VLD2018-70 DC2018-56 |
半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のため，光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている．光リソグ... [more] | VLD2018-70 DC2018-56 pp.209-214 |
| SDM | 2018-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］先端半導体素子信頼性のデバイスシミュレーション ○石原貴光・松澤一也・内藤 毅・吉富貞幸（東芝メモリ） SDM2018-67 |
[more] | SDM2018-67 pp.17-22 |
| PRMU, IBISML (共催) IPSJ-CVIM (連催) [詳細] |
2018-09-21 13:30 |
福岡 | 福岡工業大学 | ベイズ最適化を用いたシミュレーションモデルのキャリブレーション効率化 ○桐淵大貴・西川武一郎（東芝）・横田 怜・楢崎亮太・小池 聡（東芝メモリ） PRMU2018-63 IBISML2018-40 |
実験を良く模擬するシミュレーションを実現するためには、シミュレーションモデルに含まれる多数のパラメータを事前に調整し、シ... [more] | PRMU2018-63 IBISML2018-40 pp.195-200 |
| ICD | 2018-04-20 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC） ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] | ICD2018-10 pp.39-44 |
| SDM | 2017-11-10 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） ○来栖貴史（東芝メモリ） SDM2017-67 |
[more] | SDM2017-67 pp.33-36 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-07 13:00 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | ［招待講演］機械学習で切り開く新しいリソグラフィ・DFM技術 ○松縄哲明（東芝メモリ） VLD2017-50 DC2017-56 |
[more] | VLD2017-50 DC2017-56 p.131 |
| SDM | 2017-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ～ 半導体製造の歩留解析支援システム ～ ○赤堀浩史（東芝メモリ）・中田康太・折原良平・水岡良彰・高木健太郎（東芝）・門多健一・西村孝治・田中祐加子・江口英孝（東芝メモリ） SDM2017-55 |
半導体製造における歩留解析では，製品の品質検査結果と各工程の処理装置履歴から不良の原因装置を特定し，対策に繋げることで生... [more] | SDM2017-55 pp.31-33 |
| ICD | 2011-04-18 13:30 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 ○福田浩一・渡辺慶久・牧野英一・川上浩一・佐藤順平・高際輝男・金川直晃・志賀 仁・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭・小川武志・岩井 信（東芝）・櫻井清史（東芝メモリシステムズ）・三輪 達（サンディスク） ICD2011-4 |
14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NA... [more] | ICD2011-4 pp.19-26 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]