| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| R | 2011-05-13 16:50 |
高知 | 高知市文化プラザ「かるぽーと」 | 半導体製造工場における歩留解析システムの紹介 ○姫野伸吾（東芝） |
[more] | |
| ICD | 2011-04-18 13:30 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 ○福田浩一・渡辺慶久・牧野英一・川上浩一・佐藤順平・高際輝男・金川直晃・志賀 仁・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭・小川武志・岩井 信（東芝）・櫻井清史（東芝メモリシステムズ）・三輪 達（サンディスク）  ICD2011-4 |
14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NA... [more] | ICD2011-4 pp.19-26 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
| CPM, ICD (共催) |
2008-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 薄型チップの高強度化 ○田久真也・黒澤哲也・清水紀子・原田 享（東芝） CPM2007-145 ICD2007-156 |
高度情報ネットワークを支える情報通信端末が次々と携帯機器化されるにつれ，情報端末の小型化，軽量化への要求が高まってきてい... [more] | CPM2007-145 ICD2007-156 pp.99-103 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] | ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について 川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉 聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝） |
[more] | SDM2006-147 ICD2006-101 pp.127-132 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 10:45 |
北海道 | 函館国際ホテル | Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化 ○小島健嗣・飯島良介・大黒達也・渡辺 健・高柳万里子・百瀬寿代・石丸一成・石内秀美（東芝） |
(事前公開アブストラクト) Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の最適化を行った。最適化に... [more] | SDM2005-147 ICD2005-86 pp.25-30 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:40 |
北海道 | 函館国際ホテル | FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 ○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原 実・青木伸俊・稲葉 聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝） |
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] | SDM2005-154 ICD2005-93 pp.67-72 |
| ICD | 2005-04-14 11:40 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM ○大澤 隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南 良博・篠 智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝） |
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] | ICD2005-5 pp.23-28 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]