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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2023-08-24
14:25
宮城 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]InP系バットジョイント導波路型受光素子の開発進展
沖本拓也八木英樹住友電工)・米田昌博住友電工デバイス・イノベーションR2023-21 EMD2023-16 CPM2023-26 OPE2023-65 LQE2023-12
データセンタ向け通信需要の増大とBeyond 5Gネットワーク開発の進展を支えるために,光ファイバ通信の大容量化が強く求... [more] R2023-21 EMD2023-16 CPM2023-26 OPE2023-65 LQE2023-12
pp.30-33
PN 2022-11-07
14:35
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]異方性エッチングを用いた二段導波路型スポットサイズ変換器
田中 肇住友電工)・山日竜二住友電工デバイス・イノベーション)・北村崇光住友電工デバイス・イノベーション/住友電工)・堀野和彦住友電工デバイス・イノベーション)・石川 務住友電工)・江川 満住友電工デバイス・イノベーション/住友電工PN2022-25
年々増加する通信量に対応するため,コヒーレント通信は従来の遠距離通信から都市間・都市内やデータセンターなどの中~近距離に... [more] PN2022-25
pp.22-27
R, LQE, OPE, CPM, EMD
(共催)
2020-08-28
13:55
ONLINE オンライン開催 [招待講演]IMDD/デジタルコヒーレント伝送用InP系導波路型受光素子
米田昌博沖本拓也住友電工)・芦澤 建海老原幸司岡本 悟堀野和彦SEDI)・八木英樹江川 満住友電工R2020-13 EMD2020-12 CPM2020-5 OPE2020-25 LQE2020-5
400Gb/s超光伝送システムを構成する受信器では, 強度変調-直接検波(IMDD)伝送方式, ならびにデジタルコヒーレ... [more] R2020-13 EMD2020-12 CPM2020-5 OPE2020-25 LQE2020-5
pp.21-24
MW, ED
(共催)
2019-01-18
10:40
東京 日立中研 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析
四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・舘野泰範米村卓巳古川将人山本 洋住友電工)・野瀬幸則清水 聡住友電工デバイス・イノベーションED2018-81 MW2018-148
本研究の目的は,高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について,デバイス内部の応力・結晶歪に着目し,シ... [more] ED2018-81 MW2018-148
pp.67-70
MW, ED
(共催)
2019-01-18
11:05
東京 日立中研 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析
舘野泰範住友電工)・四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・山本 洋中林隆志住友電工ED2018-82 MW2018-149
高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高... [more] ED2018-82 MW2018-149
pp.71-74
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
10:15
東京 慶應義塾大学 [奨励講演]400G超コヒーレント伝送システムに向けたInP系導波路型フォトダイオードの広帯域・高感度動作
沖本拓也住友電工デバイス・イノベーション)・八木英樹住友電工)・増山竜二櫻井謙司西本頼史堀野和彦渡邊孝幸住友電工デバイス・イノベーション)・江川 満住友電工)・米田昌博住友電工デバイス・イノベーションOPE2018-97 LQE2018-107 SIPH2018-13
400Gbpsを超えるコヒーレント伝送システムの高速化に伴い, 受信器に搭載される受光素子には, 周波数応答(3dB-帯... [more] OPE2018-97 LQE2018-107 SIPH2018-13
pp.1-5
LQE 2018-07-12
15:45
北海道 北海道大学 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望 ~
八木英樹井上尚子住友電工)・沖本拓也住友電工デバイス・イノベーション)・菊地健彦住友電工LQE2018-27
近年, 大容量・長距離伝送に有利なデジタルコヒーレント光伝送方式は広く展開されており, 適用範囲は長距離幹線網からメトロ... [more] LQE2018-27
pp.29-32
LQE 2018-02-23
13:15
神奈川 古河電工横浜事業所 [招待講演]通信用受光素子の実用化に向けた開発コンセプト
米田昌博住友電工デバイス・イノベーションLQE2017-154
受光素子(PD/APD)は, 情報通信インフラを構成する上で, 半導体レーザなどの発光素子とともに必要不可欠な素子であり... [more] LQE2017-154
pp.15-18
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-09-01
15:00
青森 弘前文化センター 400G超コヒーレント伝送システムの実現に向けたInP系90°ハイブリッド集積型受光素子の広帯域・高感度動作
沖本拓也住友電工デバイス・イノベーション)・八木英樹住友電工)・増山竜二櫻井謙司西本頼史堀野和彦渡邊孝幸住友電工デバイス・イノベーション)・江川 満住友電工)・米田昌博住友電工デバイス・イノベーションR2017-40 EMD2017-34 CPM2017-55 OPE2017-64 LQE2017-37
400 Gbpsを超える大容量コヒーレント伝送システムの実現に向けては,コヒーレントレシーバに搭載する受光素子において,... [more] R2017-40 EMD2017-34 CPM2017-55 OPE2017-64 LQE2017-37
pp.73-76
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-26
13:45
北海道 函館ロワジールホテル 小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型受光素子の低チャネル間感度偏差
八木英樹住友電工)・沖本拓也増山竜二櫻井謙司西本頼史住友電工デバイス・イノベーション)・菊地健彦住友電工)・堀野和彦渡邊孝幸住友電工デバイス・イノベーション)・江川 満武智 勝住友電工)・米田昌博住友電工デバイス・イノベーションR2016-40 EMD2016-44 CPM2016-53 OPE2016-74 LQE2016-49
メトロアクセスネットワーク向け小型・省電力コヒーレントトランシーバでは, レシーバの小型化・低コスト化が求められる.これ... [more] R2016-40 EMD2016-44 CPM2016-53 OPE2016-74 LQE2016-49
pp.105-108
ED 2016-01-20
15:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]高周波用GaN-HEMTの開発
川合貴久SEDIED2015-120
 [more] ED2015-120
pp.49-54
MW, ED
(共催)
2015-01-16
10:00
東京 機械振興会館 X帯310W高出力GaN HEMT増幅器
菊池 憲西原 信山本 洋水野慎也八巻史一山本高史住友電工デバイス・イノベーションED2014-126 MW2014-190
GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する.
X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて... [more]
ED2014-126 MW2014-190
pp.53-58
ED, MW
(共催)
2014-01-17
14:20
東京 機械振興会館 3-D WLCSP MMICを使用したE-band送信・受信モジュール
塚島光路久保田 幹馬場 修川崎 健與那嶺 淳徳満恒雄住友電工)・長谷川裕一住友電工デバイス・イノベーションED2013-131 MW2013-196
 [more] ED2013-131 MW2013-196
pp.121-124
MW, ED
(共催)
2013-01-18
10:50
東京 機械振興会館 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発
由村典宏渡辺直樹出口博昭宇井範彦住友電工デバイスイノベーションED2012-120 MW2012-150
携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した.本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN... [more] ED2012-120 MW2012-150
pp.45-48
ED, MW
(共催)
2012-01-12
15:10
東京 機械振興会館 L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
菊池 憲八巻史一井上和孝住友電工)・西 眞弘生松 均宇井範彦蛯原 要新田 敦住友電工デバイス・イノベーション)・佐野征吾住友電工ED2011-138 MW2011-161
L/S帯GaN HEMTの耐久性および信頼性を評価した.耐久性に関しては,チャネル温度200℃での動作において十分広い安... [more] ED2011-138 MW2011-161
pp.107-110
ED, MW
(共催)
2012-01-12
16:25
東京 機械振興会館 X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発
西原 信山本高史住友電工デバイス・イノベーション)・水野慎也佐野征吾住友電工)・長谷川裕一住友電工デバイス・イノベーションED2011-141 MW2011-164
X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅1... [more] ED2011-141 MW2011-164
pp.121-123
ED, MW
(共催)
2010-01-15
11:45
東京 機械振興会館 WLCSP技術を用いた次世代通信向け高性能・低コストMMICの開発
藤田清次今川昌樹佐藤富雄徳満恒雄長谷川祐一住友電工ED2009-195 MW2009-178
Ku帯向けに、Wafer-Level chip sizeパッケージ技術を用いた、アップコンバータとダウンコンバータMMI... [more] ED2009-195 MW2009-178
pp.117-121
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