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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-11-09
13:05
東京 機械振興会館 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-63
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため,信... [more] SDM2017-63
pp.11-14
SDM 2017-10-26
13:30
宮城 東北大学未来研 スクライブ上モニタパタンのシート抵抗測定によるイメージセンサの空乏化電位管理について
後藤洋太郎ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・山口 直松浦正純ルネサス エレクトロニクス)・飯塚康治ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリングSDM2017-59
 [more] SDM2017-59
pp.51-55
SDM 2015-11-06
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について
酒井 敦永久克己園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス)・久田賢一新井耕一山本陽一ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング)・谷沢元昭山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-91
 [more] SDM2015-91
pp.39-43
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