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講演検索結果
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 23件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
QIT
(第二種研究会)
2022-12-08
17:30
神奈川 慶應義塾大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
測定型量子リザバー計算
安田俊輝鈴木雄大慶大)・窪田智之中嶋浩平東大)・高 王己三菱ケミカル)・ヘンドラ ナーディンニューサウスウェールズ大)・山本直樹慶大
従来の量子計算機を用いたQRC(Quantum Reservoir Computing)モデルは,力学系として非線形性が... [more]
KBSE, SC
(共催)
2020-11-13
11:35
ONLINE オンライン開催+機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:オンライン開催,副:現地開催)
EAモデリングを通した機械学習プロジェクトキャンバスの構成法
竹内広宜武蔵大)・伊藤 優三菱ケミカル)・山本修一郎名大KBSE2020-12 SC2020-16
 [more] KBSE2020-12 SC2020-16
pp.20-25
SDM 2020-02-07
10:10
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性
河瀬康弘柴田俊明草野智博三菱ケミカル)・原田 憲imec)・竹下 寛三菱ケミカルSDM2019-90
現在、最先端の半導体デバイスにおいては12層以上の銅配線が形成されており、各層毎に銅めっき膜形成とCMP(Chemica... [more] SDM2019-90
pp.9-14
SDM 2018-02-08
13:50
東京 東京大学/本郷 [招待講演]Co表面の防食挙動解析
柴田俊明草野智博原田 憲竹下 寛河瀬康弘三菱ケミカルSDM2017-100
 [more] SDM2017-100
pp.15-18
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-12-07
13:40
愛媛 愛媛大学 クロスシフト多重記録方式における多重数と密度の実験評価
堀内秀真福本 敦山本 学東京理科大)・田中麻人三菱ケミカルMR2017-28
ホログラフィックデータストレージの多重記録方法の1つであるクロスシフト多重記録方式において,密度の指標となる多重数の実験... [more] MR2017-28
pp.13-16
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:45
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性
小島一信東北大)・塚田悠介三菱化学)・古川えりか斉藤 真東北大)・三川 豊久保秀一池田宏隆藤戸健史三菱化学)・上殿明良筑波大)・秩父重英東北大ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103
 [more] ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103
pp.15-19
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
pp.19-22
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
09:30
大阪 大阪市立大学 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
神野大樹岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・江夏悠貴長尾 哲三菱化学ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
(10-10) GaNや(20-21) GaN,(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105
pp.51-54
CPM 2012-09-25
15:30
東京 機械振興会館 角度多重型ホログラフィックメモリによる1Tbits/inch2記録
石井利樹保坂 誠星沢 拓日立)・田中麻人三菱化学科学技研センターCPM2012-90
大容量と高速データ転送とを可能とする角度多重型ホログラフィックメモリは,次世代光ディスクとして有望である.そこで小型化,... [more] CPM2012-90
pp.25-27
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
2012-01-27
14:38
秋田 秋田大学 手形キャンパス Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・下村康夫三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2011-19
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている.ピーク波長525nmで,250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] EID2011-19
pp.21-24
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:45
高知 高知工科大学 研究教育棟B Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・木島直人三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-28
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して,内部量子効率,フォトルミネッセンス(... [more] EID2010-28
pp.25-28
ED 2009-04-23
16:10
宮城 東北大学電気通信研究所 [招待講演]塗布型有機半導体材料の開発
大野 玲三菱化学科学技研センターED2009-6
塗布型有機半導体は、大面積化・低コスト化技術としての利点を持つ。我々は、堅牢な骨格を持った顔料系低分子(ベンゾポルフィリ... [more] ED2009-6
pp.23-28
ED 2009-04-23
16:50
宮城 東北大学電気通信研究所 アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性
佐藤和昭大場好弘片桐洋史廣瀬文彦山形大)・荒牧晋司酒井良正三菱化学)・太田員正山口裕二山形大ED2009-7
3位に嵩高いアリール基を置換したチオフェンオリゴマー(6~12量体)を合成した。これらは高い溶解性と優れたFET特性を示... [more] ED2009-7
pp.29-30
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:55
愛知 名古屋工業大学 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価
小林 篤上野耕平下元一馬太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST)・天内英貴長尾 哲堀江秀善三菱化学ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
pp.17-20
R 2007-10-19
15:15
福岡 九州大学 空調設備における室圧制御系設計審査用シミュレータの開発
平間一歩早大)・田中伸宏三宅孝幸三菱化学エンジニアリング)・立野繁之松山久義早大R2007-42
クリーンルームなどの高い清浄度が要求される環境においては,製品の品質を維持するために室内の圧力を厳重に管理し外部からの空... [more] R2007-42
pp.31-36
EMD 2006-12-15
14:40
東京 機械振興会館 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
堀口嵩浩藤田静雄京大)・山雄健史堀田 収京都工繊大)・神原浩久栗原 隆NTT)・藤野正家群馬高専)・長田裕也中條善樹京大)・秋山誠治竹ノ内久美子前田修一三菱化学
 [more] EMD2006-60
pp.15-19
EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2006-08-25
11:10
北海道 千歳アルカディア・プラザ 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性
山雄健史堀田 収京都工繊大)・堀口嵩浩藤田静雄京大)・神原浩久森 裕平栗原 隆NTT)・藤野正家群馬高専)・長田裕也中條善樹京大)・秋山誠治竹ノ内久美子前田修一三菱化学科学技研センター
二光子吸収型3次元光メモリ材料への応用を目指し、二光子吸収過程により分子の結合断裂を生じる有機ホウ素化合物材料を用いて、... [more] EMD2006-39 CPM2006-69 OPE2006-81 LQE2006-46
pp.75-79
EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2006-08-25
11:35
北海道 千歳アルカディア・プラザ オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体Ⅱ
森 裕平神原浩久平林克彦NTT)・栗原 隆NTT/京大)・安達昌文佐々木 豊前田修一三菱化学)・清水正毅檜山爲次郎京大
オリゴチオフェンと芳香族アジドDZDSを利用した、二段階吸収型のホログラムメモリ用材料を提案し、それぞれの分子の励起状態... [more] EMD2006-40 CPM2006-70 OPE2006-82 LQE2006-47
pp.81-86
CPM, EMD, OME
(共催)
2006-06-30
14:00
東京 機械振興会館 オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体
森 裕平神原浩久平林克彦NTT)・栗原 隆NTT/京大)・安達昌文佐々木 豊前田修一三菱化学)・清水正毅檜山為次郎京大
三次元多層光メモリの実現を目的として、二段階の光吸収によるメモリ材料について調べた。二段階光吸収材料としてオリゴチオフェ... [more] EMD2006-9 CPM2006-33 OME2006-43
pp.23-27
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