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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
SDM 2015-03-02
13:35
東京 機械振興会館 [招待講演]選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション
磯林厚伸和田 真伊東 伴斎藤達朗西出大亮石倉太志片桐雅之山崎雄一松本貴士北村政幸渡邉勝仁佐久間尚志・○梶田明広酒井忠司超低電圧デバイス技研組合SDM2014-167
塗布型カーボン犠牲膜をCMPする技術と、ビアホール側面をシーリングする技術を用いて、高い選択性を有するCNTビア形成プロ... [more] SDM2014-167
pp.29-32
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2014-72 ICD2014-41
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] SDM2014-72 ICD2014-41
pp.55-58
ICD 2014-04-18
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子平本俊郎東大ICD2014-11
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] ICD2014-11
pp.53-57
SDM 2014-01-29
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技研組合SDM2013-143
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] SDM2013-143
pp.35-38
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ
森 陽紀柳田晃司梅木洋平吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-110
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] ICD2013-110
p.27
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] SDM2013-75 ICD2013-57
pp.47-52
ICD 2013-04-11
09:00
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス
森川貴博秋田憲一大柳孝純北村匡史木下勝治田井光春高浦則克超低電圧デバイス技研組合ICD2013-1
 [more] ICD2013-1
pp.1-4
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-2
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
ICD 2013-04-12
08:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング
宮村 信多田宗弘阪本利司伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合ICD2013-12
低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマ... [more] ICD2013-12
pp.55-59
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合ICD2012-90
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:25
北海道 札幌市男女共同参画センター 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹角村貴昭岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2012-69 ICD2012-37
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタ... [more] SDM2012-69 ICD2012-37
pp.33-36
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:15
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2012-73 ICD2012-41
 [more] SDM2012-73 ICD2012-41
pp.55-58
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
09:25
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]ナノカーボン配線 ~ 微細金属配線代替を目指して ~
梶田明広和田 真斎藤達朗北村政幸山崎雄一片桐雅之伊東 伴西出大亮松本貴士磯林厚伸鈴木真理子坂田敦子渡邉勝仁佐久間尚志酒井忠司超低電圧デバイス技研組合SDM2012-78 ICD2012-46
LSIの高集積化・微細化の進展により、そこに使用される配線幅は10nm台となってきており、細線効果による金属配線材料の抵... [more] SDM2012-78 ICD2012-46
pp.83-87
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
SDM 2012-03-05
10:05
東京 機械振興会館 [基調講演]BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
木村紳一郎超低電圧デバイス技研組合SDM2011-176
抵抗変化を起こす機能材料を,集積回路の配線(BEOL)プロセスを用いて配線間に埋め込んだ抵抗変化型不揮発デバイスは,動作... [more] SDM2011-176
pp.1-5
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