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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EE, IEE-SPC
(連催)
WPT
(併催) [詳細]
2015-07-07
13:00
京都 同志社大学 時分割倍周波電流形ZCS高周波インバータの非接触給電装置への応用 ~ 実証評価第一報 ~
小西響平三島智和神戸大)・中岡睦雄Univ. MalayaEE2015-8
高周波エネルギー応用機器の一種である非接触給電装置(IPT)の中容量から大容量化には,100kHz周辺に動作周波数を持つ... [more] EE2015-8
pp.33-38
IPSJ-BIO, IPSJ-MPS
(連催)
NC, IBISML
(併催) [詳細]
2015-06-23
17:00
沖縄 沖縄科学技術大学院大学 MDL理論によるlassoのリスク上界
川喜田雅則豊暉原侑心竹内純一九大IBISML2015-16
無作為計画線形回帰問題におけるlassoの情報理論的リスク上界を導出する.罰則
付き最尤推定は二段階符号化の手続きと解... [more]
IBISML2015-16
pp.101-107
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-06-04
14:40
宮城 東北大学 遷移金属合金の磁気異方性に与えるスピン揺らぎの影響
小林尚史兵頭一茂佐久間昭正東北大MR2015-3
高密度磁気デバイスにおいて,材料の熱的安定性は重要な要素であり,その理解が欠かせない.
本研究では,FePtやCoP... [more]
MR2015-3
pp.13-16
SSS 2015-03-19
14:20
東京 機械振興会館 ISO/IEC Guide 51の基本的原則からみたIAEAの基本安全原則について ~ 原子力の安全性 ~
池田隆壽元日立SSS2014-33
原子力分野におけるIAEAの基本安全原則を、全産業分野を対象とするISO/IEC Guide 51の安全性に関する基本的... [more] SSS2014-33
pp.9-12
SSS 2015-03-19
15:00
東京 機械振興会館 生活支援ロボット及び産業用ロボットの国際規格における安全要求事項と安全確保の三原則との相互関連性
川島 興オリエンタルモーター)・佐藤吉信日本環境認証機構SSS2014-34
近年,生活環境において人を補助する生活支援ロボットや工場で人と共通の空間で作業する産業用ロボットが注目されている.これら... [more] SSS2014-34
pp.13-16
SIP, EA, SP
(共催)
2015-03-03
10:45
沖縄 ホテルミヤヒラ(石垣島) [ポスター講演]円形スピーカアレーを用いたNBSFC法によるエリア再生法の検討
関 貴志羽田陽一電通大EA2014-114 SIP2014-155 SP2014-177
スピーカの近傍でのみ音が聞こえるエリア再生実現のため, 円形スピーカアレーに対し, NBSFC法によって境界音場制御の理... [more] EA2014-114 SIP2014-155 SP2014-177
pp.231-236
NLC, IPSJ-NL
(連催)
SP, IPSJ-SLP, JSAI-SLUD
(連催,共催)
(併催) [詳細]
2014-12-16
16:40
神奈川 東工大(すずかけ台) ことばには意味がない(デジタル言語学) ~ 複雑概念「自己増殖オートマトン」の意味のメカニズム ~
得丸公明自然思想家NLC2014-35
動物の記号反射において,記号は反射的行動を引き起こす引き金に過ぎない.意味は記号ではなく,反射を生みだす受信回路にある.... [more] NLC2014-35
pp.23-28
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
16:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較
及川貴大渡部雄太稲葉隆哲大島佳祐宋 華平永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
本研究の最終目標は、室温で巨大電気磁気効果を示す物質の作製である。今回、我々はCaFeO3及びLaFeO3単相薄膜の結晶... [more] ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
pp.49-53
EMM, EA
(共催)
2014-11-21
13:40
福岡 九州大学芸術工学部 ケルクホフスの原理に基づく電子透かしの安全性
栗林 稔神戸大EA2014-35 EMM2014-63
電子透かし技術の安全性は,ケルクホフスの原理に基づいて過去10年以上に渡って議論されている.攻撃者が秘密鍵を除いて埋め込... [more] EA2014-35 EMM2014-63
pp.43-48
QIT
(第二種研究会)
2014-11-17
16:20
宮城 東北大学 ハイゼンベルクによる不確定性原理の導出について
小澤正直名大
ハイゼンベルクの不確定性原理とは,ある基本物理量とその共役物理量を同時に測定すると,その測定誤差の積がプランク定数で定ま... [more]
SDM 2014-11-06
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
影島博之島根大SDM2014-101
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] SDM2014-101
pp.31-36
SDM 2014-11-07
10:50
東京 機械振興会館 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大SDM2014-104
LSIの基板として格子間Si原子(I)と原子空孔(V)を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] SDM2014-104
pp.47-52
ED 2014-10-21
13:30
北海道 北大エンレイソウ カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)
樋口敏春佐々木正洋堀江翔太山田洋一筑波大)・松本修二福田茂樹高エネルギー加速器研究機構ED2014-62
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより,エミッション特性は約2桁向上する.我々はエミッション向上機構の解... [more] ED2014-62
pp.1-6
MBE, BioX
(共催)
2014-09-12
15:25
長野 信州大学 脳波による個人認証の研究 ~ 識別に有効な周波数の検討に向けた主成分分析の導入 ~
吉川拓也中西 功李 仕剛鳥取大BioX2014-18 MBE2014-41
我々は,脳波を用いた個人認証の研究を行っている.これまでの研究で,脳波の周波数帯域毎に識別性能が大きく異なることが分かっ... [more] BioX2014-18 MBE2014-41
pp.45-49
ICSS, ISEC, SITE, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(併催)
(連催) [詳細]
2014-07-03
16:35
北海道 サン・リフレ函館 異業種共同の情報倫理 ~ 倫理規範と信念改訂 ~
村上祐子東北大ISEC2014-31 SITE2014-26 ICSS2014-35 EMM2014-31
異業種共同のトラブルはコミュニケーション問題に帰されることが多いが,実質的には倫理規範の対立が本質的である.当論文では、... [more] ISEC2014-31 SITE2014-26 ICSS2014-35 EMM2014-31
pp.229-232
SDM 2014-06-19
10:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性:第一原理計算による検討
佐々木奨悟中山隆史千葉大SDM2014-46
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] SDM2014-46
pp.17-20
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバ... [more] ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
pp.47-50
QIT
(第二種研究会)
2014-05-13
11:20
愛知 名古屋大学 Error-disturbance relations in mixed states
Masanao OzawaNagoya Univ.
 [more]
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