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光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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次世代産業システム (IEE-IIS)
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マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
2014-08-01
15:50
東京
機械振興会館B3-1室
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
○
上村崇史
(
NICT
)・
佐々木公平
(
タムラ
)・
黄 文海
・
ダイワシガマニ キルシナムルティ
(
NICT
)・
倉又朗人
(
タムラ
)・
増井建和
(
光波
)・
山越茂伸
(
タムラ
)・
東脇正高
(
NICT
)
ED2014-60
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A...
[more]
ED2014-60
pp.41-46
ED
,
SDM
(共催)
2014-02-28
09:00
北海道
北海道大学百年記念会館
MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 ~ 窒化物量子井戸構造の解析 ~
○
伊藤成顕
・
ソダーバンル ハッサネット
・
杉山正和
・
中野義昭
(
東大
)
ED2013-142 SDM2013-157
GaN/AlNのコンダクションバンドオフセット(Conduction Band Offset : CBO)は2.1eVと...
[more]
ED2013-142
SDM2013-157
pp.55-59
ED
,
SDM
(共催)
2014-02-28
09:25
北海道
北海道大学百年記念会館
共鳴トンネル発振器のセンサー応用
○
前澤宏一
・
潘 杰
・
角谷祐一郎
・
中野 純
・
森 雅之
(
富山大
)
ED2013-143 SDM2013-158
共鳴トンネルダイオード(RTD) の微分負性抵抗は発振器の基盤であり,これを用いてすでに1THz を越える基本波発振が報...
[more]
ED2013-143
SDM2013-158
pp.61-66
ED
2013-12-16
16:35
宮城
東北大通研
大きな周波数掃引幅を持つ可変容量ダイオード集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
○
北川成一郎
・
鈴木左文
・
浅田雅洋
(
東工大
)
ED2013-97
容量可変できるバラクタダイオードを集積することにより周波数掃引機能を付加した新たな共鳴トンネルダイオード(RTD)テラヘ...
[more]
ED2013-97
pp.41-45
SDM
2013-11-15
13:25
東京
機械振興会館
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
○
大森正規
・
木場隼介
・
前川容佑
(
神戸大
)・
土屋英昭
(
神戸大/JST
)・
鎌倉良成
・
森 伸也
(
阪大/JST
)・
小川真人
(
神戸大
)
SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト...
[more]
SDM2013-111
pp.65-70
ED
2013-08-08
14:00
富山
富山大学工学部 大会議室
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化
○
呉 東坡
・
水牧勝太朗
・
潘 杰
・
森 雅之
・
前澤宏一
(
富山大
)
ED2013-37
我々は共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化方法について検討した。共鳴トンネルダイオードの電圧振幅は限...
[more]
ED2013-37
pp.1-4
ED
2013-08-08
14:25
富山
富山大学工学部 大会議室
高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly
○
中野 純
・
柴田知明
・
森田弘樹
・
坂本 宙
・
森 雅之
・
前澤宏一
(
富山大
)
ED2013-38
溶融金属バンプを用いたFluidic Self-Assembly (FSA)は非常に有望な異種材料集積技術のひとつであり...
[more]
ED2013-38
pp.5-8
ED
2013-08-09
09:50
富山
富山大学工学部 大会議室
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
○
町田龍人
・
戸田隆介
・
吉木圭祐
・
藤川紗千恵
(
東京理科大
)・
原 紳介
(
NICT
)・
色川勝己
・
三木裕文
(
東京理科大
)・
河津 璋
(
東京電機大
)・
藤代博記
(
東京理科大
)
ED2013-46
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており,エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す...
[more]
ED2013-46
pp.43-48
SDM
2013-06-18
13:35
東京
機械振興会館
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定
石部貴史
・
中村芳明
・○
松井秀紀
・
竹内正太郎
・
酒井 朗
(
阪大
)
SDM2013-54
Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ(ReRAM)材料として期待されている。しかし、ON/OFF...
[more]
SDM2013-54
pp.51-55
OME
2013-03-05
13:35
佐賀
産総研九州センター
窒化炭素系分子メレムの自己組織化構造の電気化学的制御とpH依存性
○
坂田憲紀
・
青野正志
・
上村 忍
(
熊本大
)・
小松民邦
(
高エネルギー加速器研究機構
)・
國武雅司
(
熊本大
)
OME2012-96
各pHでの水溶液―Au(111)界面におけるメレムの2次元自己組織化構造の構築挙動について電気化学走査型トンネル顕微鏡 ...
[more]
OME2012-96
pp.25-28
SCE
2013-01-24
14:25
岡山
岡山大学
STM-SQUID顕微鏡
○
渡邉騎通
・
宮戸祐治
・
糸崎秀夫
(
阪大
)
SCE2012-35
走査トンネル顕微鏡(STM: Scanning Tunneling Microscope)と超伝導量子干渉素子(SQUI...
[more]
SCE2012-35
pp.59-64
ED
2012-12-18
10:50
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
量子井戸の薄層化と深化による共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振周波数上昇
○
金谷英敏
・
曽我部 陸
・
鈴木左文
・
浅田雅洋
(
東工大
)
ED2012-104
GaInAs/AlAs二重障壁共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いたテラヘルツ発振器において、量子井戸層の薄層化と深化...
[more]
ED2012-104
pp.63-67
ED
2012-12-18
11:15
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
テラヘルツ帯無線通信応用を目指した広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのモデリングと動作解析
○
浅川澄人
・
斉藤光史
・
須原理彦
(
首都大東京
)
ED2012-105
共鳴トンネルダイオード(RTD)をテラヘルツ帯動作デバイスとして無線通信システムへの応用を真摯に考える際, RTD集積構...
[more]
ED2012-105
pp.69-74
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2012-11-29
13:30
大阪
大阪市立大学
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性
○
渡邉則之
・
横山春喜
(
NTT
)・
重川直輝
(
阪市大
)
ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD)によ...
[more]
ED2012-70
CPM2012-127
LQE2012-98
pp.21-24
SDM
2012-11-16
14:15
東京
機械振興会館
Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
○
福田浩一
・
森 貴洋
・
水林 亘
・
森田行則
・
田邊顕人
・
昌原明植
・
安田哲二
・
右田真司
・
太田裕之
(
産総研
)
SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所...
[more]
SDM2012-111
pp.63-68
NLP
,
CAS
(共催)
2012-09-21
14:50
高知
高知県立大学 永国寺キャンパス
単電子リングオシレータ結合回路網の同相化の検討
○
野田遥華
・
永田啓介
・
藤坂尚登
・
神尾武司
・
生岩量久
(
広島市大
)
CAS2012-46 NLP2012-72
単電子トランジスタを用いて構成したリングオシレータは電子のトンネリングが確率的であるため非常に大きな位相雑音を持つ. 本...
[more]
CAS2012-46
NLP2012-72
pp.87-91
ED
2012-07-27
10:20
福井
福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室
広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析
○
浅川澄人
・
田代篤史
・
斉藤光史
・
須原理彦
(
首都大東京
)
ED2012-50
およそ300GHz~10THz までのTHz 帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待さ...
[more]
ED2012-50
pp.49-54
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
13:15
沖縄
沖縄県青年会館
Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors
○
Sang Wan Kim
(
Seoul National Univ.
)・
Woo Young Choi
(
Sogang Univ.
)・
Min-Chul Sun
・
Hyun Woo Kim
・
Byung-Gook Park
(
Seoul National Univ.
)
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have been regarde...
[more]
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
10:40
沖縄
沖縄県青年会館
[ポスター講演]Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances.
○
Jae Hwa Seo
・
Jae Sung Lee
・
Yun Soo Park
・
Jung-Hee Lee
・
In Man Kang
(
Kyunpook Nat'l Univ.
)
A gate-all-around tunneling field-effect transistor (GAA TFE...
[more]
NS
,
IN
(併催)
2012-03-08
09:50
宮崎
宮崎シーガイア
クラウドデータセンタ間冗長ネットワークアーキテクチャの一提案
○
小山高明
・
井上朋子
・
岸 寿春
・
永渕幸雄
・
北爪秀雄
(
NTT
)
IN2011-145
データセンタ内のクラウドネットワークについては,Openflow技術によるHop by Hopと,L2 over L3ト...
[more]
IN2011-145
pp.49-54
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