| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD | 2014-03-05 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 極低電圧集積回路のための基板バイアス・タイミングスキュー同時調整 ○久保辰徳・金子峰雄（北陸先端大）  VLD2013-163 |
集積回路の微細化、高速化、低電圧下の進展に伴い、信号伝搬遅延のばらつきや漏れ電流の増加などが問題となっている。製造後のチ... [more] | VLD2013-163 pp.159-163 |
| SDM | 2014-01-29 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析 ○水谷朋子・クマール アニール・平本俊郎（東大） SDM2013-142 |
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した．その結果，定電流法で定義された ... [more] | SDM2013-142 pp.31-34 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 ○森 貴之・井田次郎（金沢工大） SDM2013-65 ICD2013-47 |
フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド... [more] | SDM2013-65 ICD2013-47 pp.1-6 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 10:20 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠型共振クロック分配技術 ○更田裕司（東大）・野村昌弘（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） ICD2013-26 |
本稿では，閾値電圧近傍の非常に低い電源電圧で動作するロジック回路向けの，共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠... [more] | ICD2013-26 pp.13-18 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 17:40 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 低電源電圧におけるフリップフロップの故障モードの解析 ○藤田隆史・川島潤也・廣本正之（京大）・筒井 弘（北大）・越智裕之（立命館大）・佐藤高史（京大） ICD2013-45 |
回路の低消費電力化に向けて，トランジスタの閾値電圧近傍またはそれ以下の低電圧で動作させる低電源電圧回路が注目されている．... [more] | ICD2013-45 pp.129-134 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2013-05-16 09:00 |
福岡 | 北九州国際会議場 | レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法 ○張 宇・中武繁寿（北九州市大） VLD2013-1 |
ナノスケール·プロセスでは、 Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル... [more] |
VLD2013-1 pp.1-6 |
| OME | 2013-03-05 13:10 |
佐賀 | 産総研九州センター | テラヘルツ帯液晶素子の応答速度改善及び閾値電圧の低下 ○熊谷孝幸（阪大）・伊東良太（秋田県立大）・吉田浩之・久保 等・藤井彰彦（阪大）・能勢敏明（秋田県立大）・斗内政吉・尾崎雅則（阪大） OME2012-95 |
テラヘルツ(THz) 波は、危険物や禁止薬物の検出、医療診断、大容量無線通信などへの応用が期待されている電磁波領域であり... [more] | OME2012-95 pp.19-23 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2012-11-27 13:00 |
福岡 | 九州大学百年講堂 | Accurate I/O Buffer Impedance Self-adjustment using Threshold Voltage and Temperature Sensors ○Zhi Li・Hiroshi Tsutsui・Hiroyuki Ochi・Takashi Sato（Kyoto Univ.） VLD2012-79 DC2012-45 |
With the increased operating frequency and the reduction of ... [more] | VLD2012-79 DC2012-45 pp.117-122 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 11:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］0.5V動作低エネルギー回路と応用 ○篠原尋史（半導体理工学研究センター） SDM2012-67 ICD2012-35 |
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] | SDM2012-67 ICD2012-35 pp.23-28 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Statistical Analysis of Current Onset Voltage (COV) Distribution of Scaled MOSFETs ○Tomoko Mizutani・Anil Kumar・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo） |
Distribution of current onset voltage (COV) as well as thres... [more] | |
| ICD | 2012-04-24 14:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 ○小田部 晃・伊藤清男・竹村理一郎・土屋龍太（日立）・堀口真志（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-15 |
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに，しきい値ばらつきを低減する技術として，完全... [more] | ICD2012-15 pp.79-84 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-30 09:00 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | ［招待講演］超低電圧サブスレショルド回路設計 ○橋本昌宜（阪大） VLD2011-82 DC2011-58 |
極低電力アプリケーションの実装において、注目を集めているサブスレッショルド回路の特徴を、消費電力と消費エネルギーの観点か... [more] | VLD2011-82 DC2011-58 pp.173-178 |
| SDM | 2011-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-110 |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの... [more] | SDM2011-110 pp.73-78 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 09:55 |
広島 | 広島工業大学 | 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化 ○増田長太郎・廣瀬哲也・大崎勇士・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） ICD2011-22 |
本研究は，センスアンプの性能向上を目的とし，消費電力を増加させることなく 高速動作を実現する手法を提案する．提案するセ... [more] |
ICD2011-22 pp.7-12 |
| ICD | 2011-04-19 10:55 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM ○大内真一・遠藤和彦・柳 永シュン・松川 貴・中川 格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研） ICD2011-11 |
本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMア... [more] | ICD2011-11 pp.59-63 |
| SDM | 2010-12-17 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2010-185 |
18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] | SDM2010-185 pp.1-6 |
| ICD | 2010-12-16 15:10 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | ［ポスター講演］動作周波数を向上させた0.5Vサブスレッショルド駆動アナログ増幅回路の設計 ○森 隆司・原田知親・松下浩一・奥山澄雄（山形大） ICD2010-103 |
MOSFETのサブスレショルド電流で駆動する折り返しカスコード型のアナログ増幅回路について報告する。n型とp型の差動対を... [more] | ICD2010-103 pp.49-53 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]