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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 09:08 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | マイクロリアクターを用いた蛍光体合成におけるpH値のin-situ測定 ○山科憲司（鳥取大）・大倉 央（メルク）・坂田陵輔・小宮山凌平・宮下英俊・李 相錫・大観光徳（鳥取大）  EID2013-18 |
Y字分岐流路を有するガラスミキサーセルを組み込んだマイクロリアクタ・システムを提案した。更に混合時のpH値のin-sit... [more] | EID2013-18 pp.65-68 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 09:16 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | インクジェット印刷用ZnS:Mnナノ粒子の溶液合成 ○福田尚哉・土井直紀・大観光徳（鳥取大） EID2013-19 |
インクジェット印刷用のナノ粒子の合成を目的とし、界面活性剤3-MPAを用いることで分散性に優れ高い発光効率を有するZnS... [more] | EID2013-19 pp.69-72 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 10:12 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜の発光特性及び電気的特性 ○大島祐樹・川口英紀・大観光徳（鳥取大） EID2013-24 |
電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。基板温度600℃で作製した薄膜は結晶性に優れ、強い橙色フォトル... [more] | EID2013-24 pp.97-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 10:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック） ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 |
プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し，ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した．... [more] | ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 pp.1-4 |
| SID-JC, ITE-IDY, EID (共催) [詳細] |
2013-07-17 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 2013 SID International Symposium報告 ～ Emissive Display, Phosphors and Backlightingセッション ～ ○志賀智一（電通大） EID2013-5 |
2013 SID International SymposiumのEmissive Display, Phosphorお... [more] | EID2013-5 pp.35-38 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:18 |
静岡 | 静岡大学 | 真空紫外励起用ケイ酸塩・アルミノケイ酸塩蛍光体における結晶構造と焼成劣化との関係 ○中村公彦・大観光徳（鳥取大）・國本 崇（徳島文理大） EID2012-15 |
酸化焼成に対し安定な真空紫外（VUV）励起用蛍光体として、アルミノケイ酸塩蛍光体IIaAl2Si2O8:Eu (IIa ... [more] | EID2012-15 pp.25-28 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:36 |
静岡 | 静岡大学 | 微粒子蛍光体を用いインクジェット法により作製した無機薄膜EL素子 ○俵谷佳典・福田尚哉・大観光徳（鳥取大） EID2012-16 |
SrGa2S4:Eu微粒子蛍光体を用いインクジェット法により無機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を作製した。塗布回数... [more] | EID2012-16 pp.29-32 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:44 |
静岡 | 静岡大学 | (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価 ○李 廷廷・本多善太郎・福田武司・羅 キョウ蓮・鎌田憲彦（埼玉大） EID2012-17 |
出発原料としてZn (CH3COO)2•2H2O-NH4VO3を用いたゾル-ゲル法により，比較的低温作製が可... [more] | EID2012-17 pp.33-36 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:52 |
静岡 | 静岡大学 | 溶液合成法により作製した珪酸塩蛍光体の形態制御 ○赤座義広・山科憲司・大観光徳（鳥取大） EID2012-18 |
単分散・球状の蛍光体の作製を目的とし、(Ca,Eu)CO3/SiO2のコアシェル構造をもつ球状前駆体を焼成することにより... [more] | EID2012-18 pp.37-40 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 15:00 |
静岡 | 静岡大学 | プローブドーピング法を用いた緑色燐光有機EL素子の発光領域解析 ○櫻井誠也・三上明義（金沢工大） EID2012-19 |
CBP:Ir(ppy)3を発光層として用いた低分子系緑色燐光有機EL素子における発光領域に関する知見を得ることを目的とし... [more] | EID2012-19 pp.41-44 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| OME | 2012-12-05 16:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 半導体ナノ粒子と有機色素のFRETを利用したpHセンサー ○福田武司・船木那由太・倉林智和・秋山真之介・鈴木美穂（埼玉大） OME2012-81 |
周囲のpHで発光強度が変化する有機色素と半導体ナノ粒子の蛍光共鳴エネルギー移動を利用したpHセンサーは、次世代の診断材料... [more] | OME2012-81 pp.29-32 |
| CPM | 2012-10-27 09:35 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討 ○小林和晃・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・川上貴浩（新潟大） CPM2012-105 |
本研究では，マグネトロンスパッタ法により，室温にて酸化Al下地膜を堆積させた後，対向ターゲット式スパッタ法により室温にて... [more] | CPM2012-105 pp.65-69 |
| CPM | 2012-10-27 10:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程 ○阿部泰雅・谷口浩太・八木純平・加藤有行（長岡技科大） CPM2012-107 |
黄色蛍光体YVO_4:BiのPLおよびPLEの温度依存性を測定した．その結果，450 nm付近の母体発光の強度が温度上昇... [more] | CPM2012-107 pp.77-80 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) |
2012-01-27 13:54 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | 希土類イオンを付活したガーネット型蛍光体の研究 ○棚瀬義隆・宮本快暢・大観光徳（鳥取大） EID2011-18 |
白色LEDやプラズマディスプレイパネル(PDP)用新規蛍光体への応用を目的として、系統的にガーネット構造化合物?3?2?... [more] | EID2011-18 pp.13-16 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) |
2012-01-27 14:38 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・下村康夫（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2011-19 |
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている．ピーク波長525nmで，250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] | EID2011-19 pp.21-24 |
| SDM | 2011-12-16 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果 ○紺谷拓哉・谷口真央・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2011-132 |
硫化亜鉛(ZnS)等の?-?族半導体材料を用いた分散型無機ELは，照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている．スク... [more] | SDM2011-132 pp.1-5 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
| ITE-IDY, EID (連催) |
2011-11-29 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | IMID'11参加報告 ～ Luminescence and Phosphors session ～ ○石垣 雅（新潟大） EID2011-14 |
IMID’11で発表された蛍光体の論文の概要を報告する [more] | EID2011-14 pp.17-18 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］燐光有機EL素子の過渡EL特性 ○梶井博武・大森 裕（阪大） EMD2011-12 CPM2011-48 OME2011-26 |
燐光有機EL素子を作製し、変調電圧及び電流駆動特性に関する検討を行った。青色燐光有機EL素子の過渡EL特性は、素子面積の... [more] | EMD2011-12 CPM2011-48 OME2011-26 pp.23-27 |
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