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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD, R (共催) |
2008-02-15 13:50 |
京都 | オムロン京都センタービル啓真館 | Snめっき接点の繰り返し開閉時の接触抵抗挙動と表面観察 ○中村真也・山下祐司・齋藤 寧・玉井輝雄・飯田和生（三重大）・服部康弘（オートネットワーク技研）  R2007-63 EMD2007-118 |
近年、自動車の機能は従来の走行機能以外にも安全、快適性などが求められ多様化し、その制御の大半がエレクトロニクスに依存して... [more] | R2007-63 EMD2007-118 pp.25-30 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| EE | 2007-11-19 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 位相制御を用いたインターリーブ型E^2級dc/dcコンバータ ○片山 幹・関屋大雄・呂 建明・谷萩隆嗣（千葉大） EE2007-35 |
本研究では, インターリーブ型位相制御E$^2$級dc/dcコンバータを提案する. 二つの位相制御型E$^2$級dc/d... [more] | EE2007-35 pp.7-12 |
| NC | 2007-11-18 12:30 |
佐賀 | 佐賀大学 | スイッチトレジスタ回路網を内蔵したビジョンチップの開発 ○森本昌介・亀田成司・岩田 穆（広島大） NC2007-55 |
生体視覚系を模倣したシリコン網膜は超並列回路構造による高速な画像処理が可能である. このシリコン網膜の主要な構成要素... [more] |
NC2007-55 pp.1-6 |
| EMD | 2007-11-14 13:40 |
静岡 | アクトシティ浜松 | Breaking Contact Phenomena of Time-coordinated Non-arcing Relay ○Noboru Wakatsuki・Hiroshi Honma・Kazumasa Otomo（Ishinomaki Senshu Univ.） EMD2007-77 |
[more] | EMD2007-77 pp.49-53 |
| EMD | 2007-11-15 09:10 |
静岡 | アクトシティ浜松 | Galvanically Deposited Gold Layers for Switching Contacts in High Temperature Ambient ○Werner Johler（Tyco Electronics Logistics AG） EMD2007-84 |
Due to new environmental requirements, all electronic compon... [more] | EMD2007-84 pp.91-97 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2007-07-26 11:10 |
兵庫 | 神戸大学瀧川記念学術交流会館 | スイッチのオン抵抗がパイプライン型ADC性能に及ぼす影響とセトリング時間最適設計技術の検討 ○宮原正也・松澤 昭（東工大） ICD2007-43 |
本論文では、スイッチのオン抵抗がスイッチトキャパシタ回路、特にパイプライン型ADCの単位変換回路であるMulti-ply... [more] | ICD2007-43 pp.35-40 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:25 |
京都 | 京都大学 | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○中田 健・川崎 健・松田慶太・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワー... [more] | ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57 pp.7-12 |
| RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA (併催) |
2006-03-03 14:00 |
神奈川 | YRP | 並列化FET共振器を用いたミリ波高耐電力MMICスイッチ ○半谷政毅・西野 有・宮口賢一・檜枝護重・遠藤邦浩・宮崎守泰（三菱電機） |
ミリ波帯において，低損失・高耐電力な特性を有するMMICスイッチを開発した．我々は，ピンチオフ状態におけるFETの並列抵... [more] | MW2005-183 pp.29-32 |
| EMCJ | 2006-01-16 16:10 |
福岡 | 九州大学 | 共振形スイッチトキャパシタコンバータの伝導ノイズ特性 ○庄山正仁・出利葉史俊・二宮 保（九大） |
携帯用電子機器・通信機器等の小形化・高性能化に伴い，電源回路の小形化・高効率化が求められている．スイッチトキャパシタコン... [more] | EMCJ2005-135 pp.47-52 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 14:30 |
滋賀 | 立命館大学 | リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT ○中田 健・川崎 健・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワース... [more] | ED2005-129 CPM2005-116 LQE2005-56 pp.51-56 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ ○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木 隆・津田邦男（東芝） |
アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、... [more] | ED2004-219 MW2004-226 pp.41-45 |
| ICD | 2004-12-17 10:00 |
広島 | 広島大学 東広島キャンパス | 1V動作Rail-to-Rail入力逐次比較AD変換器 ○升井義博・赤木美穂・円林晃一郎・吉田 毅・佐々木 守・岩田 穆（広島大） |
アナログ・ディジタル(AD)変換器は，アナログ回路と大規模ディジタル回路を混載したアナ・デジ混載システムオンチップ(So... [more] | ICD2004-193 pp.1-5 |
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