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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-11-15 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証 ○大村泰久・近藤祐介（関西大）  SDM2013-108 |
本報告では、Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証を行うに当たり、TiO2膜におけ... [more] | SDM2013-108 pp.49-54 |
| SDM | 2013-06-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 ○上沼睦典（阪大）・番 貴彦・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-55 |
シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more] | SDM2013-55 pp.57-60 |
| ICD | 2013-04-11 11:40 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式 ○川原昭文・河合 賢・池田雄一郎・加藤佳一・東 亮太郎・吉本裕平・田邊浩平・魏 志強・二宮健生・片山幸治・村岡俊作・姫野敦史・島川一彦・高木 剛・青野邦年（パナソニック） ICD2013-4 |
1T1R型ReRAMメモリアレイにおいて、書き換え回数が従来の10倍以上の1000万回超の性能と、微細プロセスに対応可能... [more] | ICD2013-4 pp.15-20 |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク） ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| ICD | 2013-04-12 10:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム ○田中丸周平（中大/東大）・土井雅史・竹内 健（中大） ICD2013-14 |
高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステムを提案する．さらに，統合スト... [more] | ICD2013-14 pp.67-72 |
| ICD | 2013-04-12 11:10 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上 ○宮地幸祐（中大）・藤井裕大（東大）・上口 光（中大）・樋口和英・孫 超（東大）・竹内 健（中大） ICD2013-15 |
新規不揮発メモリであるストレージクラスメモリ（storage class memory: SCM）とMLC（/multi... [more] | ICD2013-15 pp.73-78 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2013-02-01 11:40 |
東京 | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター | 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 ○伊部泰貴・中山和也・北川章夫（金沢大） ICD2012-126 |
ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する．ReRAM素子のビット線とグランドの間... [more] | ICD2012-126 pp.45-49 |
| SDM | 2012-12-07 16:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 ○高 相圭・木下健太郎・福原貴博・澤居優圭・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-136 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] | SDM2012-136 pp.123-127 |
| SDM | 2012-12-07 16:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 ○沖元直樹・岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2012-137 |
上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極と... [more] | SDM2012-137 pp.129-132 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ～ 薄膜中の局所欠陥制御 ～ ○上沼睦典・番 貴彦・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-4 OME2012-4 |
抵抗変化型メモリ（ReRAM）は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている．その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフ... [more] | SDM2012-4 OME2012-4 pp.15-20 |
| ICD | 2012-04-23 14:20 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ ○川原昭文・東 亮太郎・池田雄一郎・河合 賢・加藤佳一・早川幸夫・辻 清孝・米田慎一・姫野敦史・島川一彦・高木 剛・三河 巧・青野邦年（パナソニック） ICD2012-3 |
TaOxを用いたReRAMの高速な書換え性能とクロスポイントメモリセルアレイ構成におけるスニーク電流を低減する書込みアー... [more] | ICD2012-3 pp.13-18 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究 ○樋口和英・宮地幸祐・上口 光・竹内 健（東大） ICD2011-116 |
抵抗変化型メモリは低消費電力かつスケーラビリティに優れ，CMOSプロセスとの親和性が高くサブ20nm不揮発性メモリの有力... [more] | ICD2011-116 pp.75-80 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 14:55 |
富山 | 富山県民会館 | ReRAM多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術 ○半田貴也・中山和也・北川章夫・秋田純一（金沢大） SDM2011-80 ICD2011-48 |
近年，抵抗変化型メモリReRAM（Resistance Random Access Memory）は次世代型メモリとして... [more] | SDM2011-80 ICD2011-48 pp.53-57 |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| ICD | 2011-04-18 11:40 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ ～ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ～ ○筒井敬一・大塚 渉・宮田幸児・北川 真・対馬朋人（ソニー） ICD2011-3 |
従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され，微細化に適した次世代メモリの技術開発が行... [more] | ICD2011-3 pp.13-18 |
| ICD | 2011-04-19 15:50 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム ○花田明紘・木下健太郎・松原勝彦・福原貴博・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-19 |
我々は銅酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi-2212)バルク単結晶を用いて, Al / Bi-221... [more] | ICD2011-19 pp.105-109 |
| ICD | 2011-04-19 16:15 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 ○田中隼人・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-20 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] | ICD2011-20 pp.111-116 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2011-01-21 14:50 |
神奈川 | 慶応大学（日吉） | コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ ～ 3.6倍ビットエラーレート許容，かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案 ～ ○福田真由美・樋口和英・田中丸周平・竹内 健（東大） |
提案するソリッドステートドライブは、4GB程度の大容量不揮発性RAMを書き込み用バッファとして使用するため、書き込み性能... [more] | ICD2010-139 pp.75-80 |
| NC | 2010-10-23 14:30 |
福岡 | 九工大（北九州学研都市） | バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス ○赤穂伸雄・浅井哲也（北大）・柳田 剛・川合知二（阪大）・雨宮好仁（北大） NC2010-46 |
抵抗変化メモリ（resistive RAM: ReRAM）を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バ... [more] | NC2010-46 pp.23-28 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
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