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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST, EMCJ (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2012-10-26 11:20 |
宮城 | 東北学院大学 多賀城キャンパス | 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善 ○工藤嗣友（神奈川工科大）・菅原文彦・大沼孝一（東北学院大）  EMCJ2012-79 EST2012-63 |
3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOS型自己バイアスチャネルダイオードが提案されている．この... [more] | EMCJ2012-79 EST2012-63 pp.93-97 |
| ED | 2011-12-14 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］InGaAs MOSFETの高電流密度化 ○宮本恭幸・米内義晴・金澤 徹（東工大） ED2011-100 |
ITRS の予測では、将来のMOSFETにおいて、電源電圧=0.6V で2A/mmを超える高い電流駆動能力が求められてい... [more] | ED2011-100 pp.1-6 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:50 |
富山 | 富山県民会館 | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝） SDM2011-75 ICD2011-43 |
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の... [more] | SDM2011-75 ICD2011-43 pp.23-27 |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 11:05 |
佐賀 | 産総研九州センター | Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge ○Mohammad Anisuzzaman・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.） SDM2011-4 OME2011-4 |
Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much i... [more] | SDM2011-4 OME2011-4 pp.13-16 |
| OFT, OPE (共催) |
2011-03-04 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | In-vivo脳神経蛍光イメージング用ライトガイドアレイ搭載CMOSイメージセンサ ○笹川清隆（奈良先端大/JST）・安藤圭祐・種子田浩志・水田裕樹・田川礼人（奈良先端大）・小林琢磨・野田俊彦（奈良先端大/JST）・徳田 崇（奈良先端大）・太田 淳（奈良先端大/JST） OFT2010-65 OPE2010-169 |
脳神経蛍光観察用イメージセンサの空間分解能および感度向上のため，ライトガイドアレイ構造を搭載した脳内埋植型CMOSイメー... [more] | OFT2010-65 OPE2010-169 pp.13-16 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-28 10:50 |
大阪 | 大阪大学 | InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・重川直輝・児玉 聡（NTT） PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
アバランシェフォトダイオード (APD)は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するた... [more] | PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 pp.103-106 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| SDM | 2010-12-17 15:45 |
京都 | 京都大学(桂) | ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 ○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） SDM2010-198 |
ホトルミネセンス(PL)法を活用して，極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た．イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] | SDM2010-198 pp.73-78 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） SDM2009-106 ICD2009-22 |
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] | SDM2009-106 ICD2009-22 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-72 SDM2009-67 |
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] | ED2009-72 SDM2009-67 pp.99-103 |
| SDM | 2008-12-05 15:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス 長田光生・○芝原健太郎（広島大） SDM2008-194 |
Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば... [more] | SDM2008-194 pp.55-58 |
| SDM | 2008-10-10 13:00 |
宮城 | 東北大学 | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 ○川崎洋司・遠藤誠一・北澤雅志・丸山祥輝・山下朋弘・黒井 隆・吉村秀文・米田昌弘（ルネサステクノロジ） SDM2008-161 |
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] | SDM2008-161 pp.37-40 |
| ED | 2008-08-05 09:50 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用 ○竹内光明（JSTイノベーションプラザ京都）・後藤康仁・辻 博司（京大）・酒井滋樹（日新イオン機器）・木本恒暢・石川順三（京大） ED2008-119 |
半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビー... [more] | ED2008-119 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 13:45 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs ○Toshiharu Suzuki（SEN） ED2008-44 SDM2008-63 |
Issues in the ion implantation technology employed in advanc... [more] | ED2008-44 SDM2008-63 pp.25-30 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化 ○野口 隆・宮平知幸・川井健司（琉球大）・鈴木俊治・佐藤正輝（SEN） SDM2008-4 OME2008-4 |
高濃度にホウ素やリンをドープしたSi薄膜に対して、紫外光でパルスであるエキシマレーザアニール(ELA)が施され、その導電... [more] | SDM2008-4 OME2008-4 pp.17-22 |
| SDM | 2007-12-14 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード ○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2007-233 |
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] | SDM2007-233 pp.47-50 |
| MI | 2007-09-20 10:30 |
福岡 | 九州大学 病院地区総合研究棟一階102講義室 | 仮想CT作成機能を有する耳科ナビゲーションシステムの開発 ○洪 在成・松本 希・大内田理一・小宗静男・橋爪 誠（九大） MI2007-38 |
オープンソースナビゲーションソフトを基盤に，耳科領域で求められる新しい機能の開発，追加を行った．ナビゲーションに用いる画... [more] | MI2007-38 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 17:10 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing ○Takashi Noguchi（University of the Ryukyus） |
微細な高性MOS FETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ド... [more] | |
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