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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2014-01-29 13:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［招待講演］半導体不揮発メモリを用いた次世代SSDの研究開発 ○上口 光（中大）  ICD2013-135 |
近年NANDフラッシュメモリの低コスト化により，ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）がハードディスク（HDD）に取って... [more] | ICD2013-135 p.83 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-28 11:15 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | 書込み電力最小カット部探索とそれを用いた不揮発論理回路の低電力化 ○糸井優大・木村晋二（早大） VLD2013-82 DC2013-48 |
近年，磁気トンネル結合を用いた次世代不揮発メモリ/レジスタが注目されている．これらは，電源遮断時でも記憶を保持でき，CM... [more] | VLD2013-82 DC2013-48 pp.147-152 |
| CPSY | 2013-11-08 15:05 |
広島 | 広島大学 | フラッシュ向けLinuxスワップシステムの評価 ○丹 英之（アルファシステムズ/JST）・緑川博子（成蹊大/JST） CPSY2013-50 |
物理メモリサイズを超えるプロセスの実行を目的とし，フラッシュストレージ向けに提案されたLinuxスワップシステムの有効性... [more] | CPSY2013-50 pp.61-66 |
| SIP, CAS, MSS, VLD (共催) |
2013-07-12 09:00 |
熊本 | 熊本大学 | IL1およびIL2キャッシュに不揮発メモリを利用した二階層キャッシュにおける消費エネルギーの評価 ○松野翔太・多和田雅師・柳澤政生・木村晋二・戸川 望（早大）・杉林直彦（NEC） CAS2013-17 VLD2013-27 SIP2013-47 MSS2013-17 |
オンチップ・メモリによく利用されるSRAMは，高速かつ動作電力が低いが，微細化とともに構造に起因するリーク電力が増大し，... [more] | CAS2013-17 VLD2013-27 SIP2013-47 MSS2013-17 pp.89-94 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 16:15 |
北海道 | サン・リフレ函館 | ［招待講演］低電圧不揮発メモリデバイス技術とシステム応用 ～ ゼロスタンドバイLSIの実現に向けて ～ ○林越正紀（ルネサス エレクトロニクス） ICD2013-32 |
Flashメモリを代表とする不揮発性メモリデバイスは、あらゆる産業に対し、核となる技術となっている。本発表では、MCU混... [more] | ICD2013-32 pp.43-48 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2013-02-01 11:40 |
東京 | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター | 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 ○伊部泰貴・中山和也・北川章夫（金沢大） ICD2012-126 |
ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する．ReRAM素子のビット線とグランドの間... [more] | ICD2012-126 pp.45-49 |
| IE, SIP, ICD, VLD, IPSJ-SLDM (共催) [詳細] |
2012-10-19 16:25 |
岩手 | ホテルルイズ（盛岡）【変更】 | 最大フロー最小カット定理を用いた不揮発レジスタの書込み削減 ○糸井優大・木村晋二（早大） VLD2012-58 SIP2012-80 ICD2012-75 IE2012-82 |
近年，磁気トンネル結合を用いた次世代不揮発メモリ/レジスタが注目されている．これらはCMOS 素子 と集積可能で，電源... [more] |
VLD2012-58 SIP2012-80 ICD2012-75 IE2012-82 pp.101-106 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［基調講演］More-than-Moore Devices based on Advanced CMOS Technologies ○Hitoshi Wakabayashi（Sony） |
[more] | |
| IT, ISEC, WBS (共催) |
2012-03-01 16:10 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 | 多重誤り訂正が可能なWrite Once Memory符号の構成法 ○宇都宮秀利・鎌部 浩（岐阜大） IT2011-61 ISEC2011-88 WBS2011-62 |
書き換えが出来ない記録素子をWrite Once Memory(WOM)という．WOMに対し，記憶容量を犠牲にすることで... [more] | IT2011-61 ISEC2011-88 WBS2011-62 pp.95-100 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2012-01-19 16:20 |
東京 | 電通大 | ［パネル討論］ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦 ○中村 宏（東大） ICD2011-138 |
コンピュータシステムは社会のあらゆる局面で活用されることが期待されており、その低消費電力化は大きな社会的要請であるととも... [more] | ICD2011-138 p.35 |
| SDM | 2011-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 積層方式Chain構造PRAMの設計法 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2011-127 |
NAND型フラッシュメモリ以上の低コスト化が期待出来る、Chain構造を縦方向に積層して実現する積層方式Chain構造P... [more] | SDM2011-127 pp.69-74 |
| SDM | 2011-07-04 17:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2011-69 |
本論文では、相変化チャネルトランジスタを使用した積層型NOR PRAM新たに提案した。 積層型NOR PRAMはDRAM... [more] | SDM2011-69 pp.109-113 |
| VLD | 2011-03-04 14:25 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 次状態関数処理に基づく高速不揮発メモリに対する書き込み最適化 ○岡田直也（早大）・中村祐一（NEC）・木村晋二（早大） VLD2010-144 |
消費電力削減の観点から，MRAMやPCMなどの高速不揮発メモリが注目されている．しかし，高速不揮発メモリには，書き込み動... [more] | VLD2010-144 pp.165-170 |
| SIP, IE, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2010-10-05 13:20 |
千葉 | 幕張メッセ 国際会議場 (CEATEC会場) | スピントランジスタを用いた積層型NOR MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SIP2010-55 ICD2010-69 IE2010-73 |
ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用い... [more] | SIP2010-55 ICD2010-69 IE2010-73 pp.37-42 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 11:40 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2010-142 ICD2010-57 |
ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用い... [more] | SDM2010-142 ICD2010-57 pp.99-104 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Theoretical Study of the Hydrogen Effect on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories Akira Otake・○Keita Yamaguchi・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2010-100 SDM2010-101 |
Due to the aggressive scaling of non-volatile memories, “cha... [more] | ED2010-100 SDM2010-101 pp.221-224 |
| RECONF | 2010-05-13 15:20 |
長崎 | 長崎温泉 やすらぎ伊王島 (長崎市伊王島町) | FeRAMを用いた不揮発リコンフィギャラブルロジックデバイスの試作 ○古賀正紘・飯田全広・尼崎太樹（熊本大）・市田善信・佐治満朗・飯田 淳（ローム）・末吉敏則（熊本大） RECONF2010-5 |
FPGAのようなRLDは製造後に実装する回路を変更できる利点を持つが，組込みシステム向けの System on Chip... [more] | RECONF2010-5 pp.25-30 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 15:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 ○岡田竜弥（琉球大）・東 清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大） ED2009-201 SDM2009-198 |
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] | ED2009-201 SDM2009-198 pp.29-33 |
| ICD | 2009-12-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［ポスター講演］積層型MRAMの設計法 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） ICD2009-79 |
低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つスピントランジスタを積層した積層型NAND MRAM を新たに提案した。メモリセル... [more] | ICD2009-79 pp.19-23 |
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