| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 |
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の... [more] | ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 pp.89-93 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 pp.99-104 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 ○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 |
AlGaN系紫外発光素子の高効率化には光取り出し効率の改善が重要である。本研究では、スパッタリングによって成膜したITO... [more] | ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 pp.117-121 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ ○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学） ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 |
[more] | ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 pp.123-126 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 |
様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評... [more] | ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 pp.127-130 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 |
MOVPE 法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した．試料はn-GaN上に光吸収層Ga... [more] | ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 pp.163-167 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物太陽電池の電極構造検討 ○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 |
太陽電池の性能向上には光の取り込み効率の最適化が不可欠であり、本研究ではグリッド電極を用いることによってその向上を目指し... [more] | ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 pp.169-173 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、... [more] | ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 pp.179-183 |
| OME | 2010-01-20 17:10 |
愛知 | 名城大学 | 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 ○稲田 シュンコ アルバーノ・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・前田 晃・森田明理（名古屋市大） OME2009-86 |
ピーク波長365nm，半値幅10nmの紫外(UV) LEDを用い，16個×16個（50?×50?）のLEDマトリックス光... [more] | OME2009-86 pp.37-41 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT ○橋本 信・秋田勝史・田辺達也・中幡英章（住友電工）・竹田健一郎・天野 浩（名城大） ED2009-188 MW2009-171 |
[more] | ED2009-188 MW2009-171 pp.77-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 |
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用... [more] | ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 pp.57-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 16:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | UVレーザダイオードの動作電圧の低減 ○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 |
?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Lase... [more] | ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 pp.65-69 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 |
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて，異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化し... [more] | ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 pp.75-80 |
| ED | 2009-07-30 16:15 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性 ○杉山貴之・飯田大輔・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-108 |
[more] | ED2009-108 pp.33-37 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ○森 俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤さき 勇（名城大） ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 |
[more] | ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 pp.57-60 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 pp.61-66 |
| OME | 2008-01-25 16:35 |
愛知 | 愛知工業大学 | UVA1-LED光線療法の照射装置開発 ○稲田 シュンコ アルバーノ・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・森田明理（名古屋市大） OME2007-83 |
[more] | OME2007-83 pp.55-59 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 13:40 |
京都 | 京都大学 | 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価 ○渡邉浩崇・飯田一喜・竹田健一郎・永松謙太郎・住井隆文・永井哲也・クリシュナン バラクリシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・坂東 章（昭和電工） |
[more] | ED2006-168 CPM2006-105 LQE2006-72 pp.87-92 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]