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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2019-01-23 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた30GHzデータパスの開発 ○長岡一起（名大）・畑中湧貴（三菱電機）・松井裕一（名大）・石田浩貴（九大）・田中雅光・佐野京佑・山下太郎（名大）・小野貴継・井上弘士（九大）・藤巻 朗（名大）  SCE2018-30 |
我々はCMOSマイクロプロセッサを凌駕する高スループットを実現することを目的として、単一磁束量子（SFQ）マイクロプロセ... [more] | SCE2018-30 pp.29-34 |
| SCE | 2017-08-09 14:35 |
愛知 | 名古屋大学(東山キャンパス) | 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた要素回路設計 ○畑中湧貴・松井裕一・田中雅光・佐野京佑・藤巻 朗（名大）・石田浩貴・小野貴継・井上弘士（九大） SCE2017-17 |
我々は CMOS マイクロプロセッサの性能を凌駕することを最終目的とし、高スループットな単一磁束 量子（RSFQ）マイク... [more] | SCE2017-17 pp.37-42 |
| ICD | 2007-04-12 11:10 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ ○小田部 晃・半澤 悟（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・長田健一・松井裕一・松崎 望・高浦則克（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） ICD2007-5 |
0.13μm，1.5V CMOS技術を用いて，混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] | ICD2007-5 pp.23-28 |
| SDM | 2007-03-15 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化 ○松井裕一・黒土健三・外村 修・森川貴博・木下勝治・藤崎芳久・松崎 望・半澤 悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀 剛（ルネサステクノロジ） |
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] | SDM2006-254 pp.1-6 |
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