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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2023-04-11 16:05 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［基調講演］スピントロニクス省電力半導体によるゲームチェンジと、カーボンニュートラル社会への貢献 ～ STT/SOT-MRAMからIoT/AIプロセッサーへの展開 ～ ○遠藤哲郎（東北大）  ICD2023-13 |
[more] | ICD2023-13 p.30 |
| SDM | 2019-01-29 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Demonstration of high-speed switching, high thermal stability, and high endurance in 128Mb-density STT-MRAM by development of integration process ○Hideo Sato・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| ICD | 2016-04-14 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2016-10 |
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な，高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧（Vref）生成回路，... [more] | ICD2016-10 pp.51-56 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| ICD | 2015-04-17 13:55 |
長野 | 信州大学 | ［チュートリアル講演］不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用 ○羽生貴弘・鈴木大輔・望月 明・夏井雅典・鬼沢直哉（東北大）・杉林直彦（NEC）・池田正二・遠藤哲郎・大野英男（東北大） ICD2015-12 |
[more] | ICD2015-12 pp.57-61 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ ○崎村 昇・辻 幸秀・根橋竜介・本庄弘明・森岡あゆ香・石原邦彦（NEC）・木下啓藏・深見俊輔（東北大）・三浦貞彦（NEC）・笠井直記・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大）・杉林直彦（NEC） SDM2014-69 ICD2014-38 |
[more] | SDM2014-69 ICD2014-38 pp.39-44 |
| SDM | 2014-06-19 14:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 ○藤田弦暉・塩川太郎（筑波大）・高田幸宏（東京理科大）・小鍋 哲（筑波大）・村口正和（東北大）・山本貴博（東京理科大）・遠藤哲郎（東北大）・初貝安弘（筑波大）・白石賢二（名大） SDM2014-53 |
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] | SDM2014-53 pp.55-58 |
| ICD | 2014-04-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ～ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ～ 大澤 隆・○小池洋紀（東北大）・三浦貞彦（NEC）・木下啓蔵（東北大）・本庄弘明（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-7 |
[more] | ICD2014-7 pp.33-38 |
| ICD | 2014-04-17 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ 松永翔雲（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・杉林直彦（NEC）・夏井雅典・○望月 明・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2014-8 |
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため，90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] | ICD2014-8 pp.39-44 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| ICD | 2013-04-11 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies ○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ICD2013-5 |
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては，性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており，低消費電力かつ高... [more] | ICD2013-5 pp.21-26 |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大） ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
| ICD | 2013-04-11 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 ○松永翔雲（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明（NEC）・木下啓蔵・池田正二・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2013-7 |
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア，Ternary Content-Addressable Mem... [more] | ICD2013-7 pp.33-38 |
| ICD | 2013-04-11 16:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 ○辻 幸秀・根橋竜介・崎村 昇・森岡あゆ香・本庄弘明・徳留圭一・三浦貞彦（NEC）・鈴木哲広（ルネサス エレクトロニクス）・深見俊輔・木下啓藏・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2013-9 |
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] | ICD2013-9 pp.41-46 |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク） ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar ○Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, we show the asymmetric I-V characteristics in... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET ○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with ... [more] | |
| ICD | 2012-04-24 10:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ ○根橋竜介・崎村 昇・辻 幸秀（NEC）・深見俊輔（東北大）・本庄弘明・齊藤信作・三浦貞彦・石綿延行（NEC）・木下啓蔵・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2012-10 |
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] | ICD2012-10 pp.49-54 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter ○Takeshi Sasaki・Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-92 SDM2010-93 |
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] | ED2010-92 SDM2010-93 pp.177-182 |
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