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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-12-11 to:2009-12-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2009-12-11 09:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 半導体レーザにおける戻り光カオスと自己混合ドップラダイナミクス ○大坪順次・生源寺 類（静岡大）  LQE2009-139 |
半導体レーザは元来安定なクラスBに分類されるレーザであるが、戻り光など外部からの自由度の追加により容易にカオス発振する不... [more] | LQE2009-139 pp.1-6 |
| LQE | 2009-12-11 10:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 戻り光量子ドットレーザにおけるダイナミクス ○高林巨樹・生源寺 類・大坪順次（静岡大） LQE2009-140 |
[more] | LQE2009-140 pp.7-10 |
| LQE | 2009-12-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ ○雨宮智宏・阿部健治（東工大）・種村拓夫（東大）・水本哲弥（東工大）・中野義昭（東大） LQE2009-141 |
[more] | LQE2009-141 pp.11-17 |
| LQE | 2009-12-11 11:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響 ○市川弘之・熊谷安紀子・河野直哉・松川真治・福田智恵・岩井圭子・生駒暢之（住友電工） LQE2009-142 |
端面発光型レーザの信頼性を左右する指標の1つに、端面の応力が挙げられる。しかしながら、高速変調・高温動作に優れたAlGa... [more] | LQE2009-142 pp.19-23 |
| LQE | 2009-12-11 11:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 ○竹下達也・佐藤具就・満原 学・近藤康洋・大橋弘美（NTT） LQE2009-143 |
2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期... [more] | LQE2009-143 pp.25-30 |
| LQE | 2009-12-11 11:50 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長 ○佐藤由章・寺村晃彦・佐久間吉彦・小島修司・笠原健一（立命館大）・大塚岳夫（阪大）・三浦伸仁（カネカ） LQE2009-144 |
燐光型有機EL素子は三重項からの発光を用いることができ、緑色や赤色で高い発光効率が実現されているが、短波長領域では未だ十... [more] | LQE2009-144 pp.31-35 |
| LQE | 2009-12-11 13:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | ［奨励講演］多重上位準位を有する量子カスケードレーザ ○藤田和上・枝村忠孝・山西正道・杉山厚志・古田慎一・落合隆英・秋草直大・菅 博文（浜松ホトニクス） LQE2009-145 |
[more] | LQE2009-145 pp.37-40 |
| LQE | 2009-12-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度 ○片岡 誉・森本恭弘・古田 峻・笠原健一（立命館大）・藤田和上・秋草直太・枝村忠孝（浜松ホトニクス） LQE2009-146 |
[more] | LQE2009-146 pp.41-44 |
| LQE | 2009-12-11 14:15 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作 ○奥村忠嗣・伊藤 瞳・近藤大介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2009-147 |
[more] | LQE2009-147 pp.45-50 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| LQE | 2009-12-11 15:05 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ ○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） LQE2009-149 |
S-Kモードを利用した量子ドット形成法は1層あたりで高密度の量子ドットを作製でき、高性能半導体レーザ、半導体光アンプなど... [more] | LQE2009-149 pp.57-60 |
| LQE | 2009-12-11 15:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討 ○坂口 淳・片山健夫・河口仁司（奈良先端大） LQE2009-150 |
面発光半導体レーザ(VCSEL)の偏光双安定性を用いた光バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強... [more] | LQE2009-150 pp.61-66 |
| LQE | 2009-12-11 16:05 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ ○岩井則広・影山健生・高木啓史・今井 英・川北泰雅・平岩浩二・清水 均・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） LQE2009-151 |
近年の情報量の増加に伴い，ボード間のデータ通信等において，光インターコネクションの普及が進んでいる．また，情報量の増加に... [more] | LQE2009-151 pp.67-70 |
| LQE | 2009-12-11 16:30 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 ○篠田和典・足立光一朗・李 英根・塩田貴支・田中滋久（日立/光協会）・菅原俊樹・青木雅博（日立）・辻 伸二（日立/光協会） LQE2009-152 |
次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはIn... [more] | LQE2009-152 pp.71-74 |
| LQE | 2009-12-11 16:55 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 光インタコネクトのための光素子のセルフアライメント技術と光サブアセンブリ ○鈴木 敦（日本特殊陶業）・菊地克弥・岡田義邦・仲川 博・青柳昌宏・三川 孝（産総研） LQE2009-153 |
光インタコネクトのために開発した光実装技術と光サブアセンブリについて報告する．面型光素子と光ファイバの位置合わせを実現す... [more] | LQE2009-153 pp.75-80 |
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