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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-11-27 to:2014-11-27」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 10:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 昇華法によるAlN単結晶の育成 ○岩崎洋介・永田俊郎・秋山秀敏・中村啓一郎（JFEミネラル）  ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 |
窒化アルミニウム（AlN）は、高い熱伝導率と深紫外領域で優れた透明性を有し、発光層とのマッチングの良さから、深紫外発光ダ... [more] | ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大） ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる．SCAMは斜方晶の結晶で，六... [more] | ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 pp.5-8 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 ○児玉和樹・Hasan Md Tanvir・野村裕之（福井大）・重川直輝（阪市大）・山本暠勇・葛原正明（福井大） ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 |
本論文では, AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長温度... [more] | ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 pp.9-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果 ○中濵和大（三重大）・福世文嗣（浜松ホトニクス）・三宅秀人・平松和政（三重大）・吉田治正・小林祐二（浜松ホトニクス） ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 |
[more] | ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 pp.15-18 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 ○栗原 香・長尾 哲（三菱化学）・山口敦史（金沢工大） ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 |
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] | ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 pp.19-22 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 13:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 非極性InGaN量子井戸の偏光特性 ○坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・栗原 香・長尾 哲（三菱化学） ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106 |
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている． 一般的に， この偏光特性... [more] | ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106 pp.23-26 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 14:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 ○鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴・大川貴史（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・藤川紗千恵・平山秀樹（理研） ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107 |
フォトニック結晶を窒化物ＬＥＤに形成し、光取出し効率を向上した結果を示す。また、シミュレーションによるフォトニック結晶の... [more] | ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107 pp.27-32 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング ○南部優賢・山口敦史（金沢工大）・後藤裕輝・砂川晴夫・松枝敏晴（古河機械金属）・岡田愛姫子（早大）・篠原秀敏・後藤博史（東芝機械）・水野 潤（早大）・碓井 彰（古河機械金属） ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108 |
白色LEDにおいて大電流領域で効率が低下する現象（Droop現象）を抑制する１つの手法として，下地のGaN膜（基板）の高... [more] | ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108 pp.33-38 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 14:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 ○金沢裕也・豊田史朗・大島一晟（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・大川貴史・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・平山秀樹（理研） ED2014-81 CPM2014-138 LQE2014-109 |
[more] | ED2014-81 CPM2014-138 LQE2014-109 pp.39-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 15:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | InNの硬度とヤング率の評価 ○大久保 泰・出浦桃子（東北大）・徳本有紀（東大）・沓掛健太朗・大野 裕・米永一郎（東北大） ED2014-82 CPM2014-139 LQE2014-110 |
Plasma-assisted MBE法によって成長された厚さが0.5~4 μmのInN薄膜結晶について、結晶品質が良好... [more] | ED2014-82 CPM2014-139 LQE2014-110 pp.45-48 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 16:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長および磁気特性 中村拓未・林 佑太郎・隅田貴士・橋本浩佑・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） |
[more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 16:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較 及川貴大・渡部雄太・稲葉隆哲・大島佳祐・宋 華平・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111 |
本研究の最終目標は、室温で巨大電気磁気効果を示す物質の作製である。今回、我々はCaFeO3及びLaFeO3単相薄膜の結晶... [more] | ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111 pp.49-53 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 16:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 自由電子レーザーを照射して成長させた単層カーボンナノチューブの構造および電気特性 津田悠作・吉田圭佑・川口大貴・永田知子・○岩田展幸・山本 寛（日大） |
[more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯... [more] | ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 pp.59-62 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大） ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は小型，連続動作，狭線幅，高出力，長寿命といった特長を持つことから，簡便... [more] | ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 pp.55-58 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 10:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用 ○羽鳥伸明・清水隆徳（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） ED2014-86 CPM2014-143 LQE2014-114 |
[more] | ED2014-86 CPM2014-143 LQE2014-114 pp.63-68 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED ○高島祐介・清水 亮・原口雅宣・直井美貴（徳島大） ED2014-87 CPM2014-144 LQE2014-115 |
紫外偏光制御デバイスは半導体リソグラフィーや医療等の多くの工業分野で利用される重要なデバイスである。近年、III族窒化物... [more] | ED2014-87 CPM2014-144 LQE2014-115 pp.69-72 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作 ○前田哲利・定 昌史・平山秀樹（理研） ED2014-88 CPM2014-145 LQE2014-116 |
AlGaN系UVC LEDの光取出し効率(LEE)を改善するためには、発光を吸収する従来のp-GaNコンタクト層から透明... [more] | ED2014-88 CPM2014-145 LQE2014-116 pp.73-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 11:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED ○定 昌史・前田哲利・平山秀樹（理研） ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 |
AlGaN発光ダイオード（LED）は深紫外域における高機能光源として研究が進められている。AlGaN LEDの現在の課題... [more] | ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 pp.77-80 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の... [more] | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 pp.81-84 |
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