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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2007年度)

「from:2007-08-23 to:2007-08-23」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
08:30
北海道 北見工業大学 9つのCPUと2つのマトリクスプロセッサを搭載したマルチコアSoCの開発
中島雅美石見幸一藤原隼人石田一哉奥村直人桝井規雄近藤弘郁ルネサステクノロジSDM2007-141 ICD2007-69
認識,推論,計測,制御などのアプリケーションのためのマルチコアSoCを開発した.本SoCで採用した9つのCPUと2つのマ... [more] SDM2007-141 ICD2007-69
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
08:55
北海道 北見工業大学 モバイルマルチメディア SoC 向け L1 キャッシュ共有型ホモジニアスデュアルプロセッサコア
細木 哲山本崇夫山崎雅之金子圭介中島雅逸松下電器SDM2007-142 ICD2007-70
アクティブウェイ機構を採用した、新しいL1キャッシュ共有型デュアルプロセッサコアを提案する。この機構では、キャッシュの各... [more] SDM2007-142 ICD2007-70
pp.5-9
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
09:20
北海道 北見工業大学 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討
鹿野裕明日立/早大)・伊藤雅樹戸高貴司津野田賢伸兒玉征之小野内雅文内山邦男日立)・小高俊彦日立/早大)・亀井達也永濱 衛草桶 学新田祐介ルネサステクノロジ)・和田康孝木村啓二笠原博徳早大SDM2007-143 ICD2007-71
汎用プロセッサ(CPU) コアとアクセラレータ(ACC) コアを複数個集積したヘテロジニアスマルチコアプロセッサ(HMC... [more] SDM2007-143 ICD2007-71
pp.11-16
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
09:45
北海道 北見工業大学 DVFSに向けた高速動きベクトル検出アルゴリズムとこれを適用した低電力動きベクトル検出プロセッサの開発
小林伸彰榎本忠儀中大SDM2007-144 ICD2007-72
 [more] SDM2007-144 ICD2007-72
pp.17-21
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]PLL,DLL技術にみる高性能化動向
道正志郎松下電器SDM2007-145 ICD2007-73
 [more] SDM2007-145 ICD2007-73
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
11:10
北海道 北見工業大学 マルチ位相PLLを用いた、ローパワーアプリ向けマルチ位相出力レベルシフトシステム
松本秋憲崎山史朗徳永祐介森江隆史道正志郎松下電器SDM2007-146 ICD2007-74
マルチ位相同期回路(Phase Locked Loop, PLL)出力をモバイルアプリに適用する際の最大課題は、ローパワ... [more] SDM2007-146 ICD2007-74
pp.29-34
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
11:35
北海道 北見工業大学 周期的同期方式によるマルチコアSOCプラットフォーム向けクロッキング・アーキテクチャ
柴山充文野瀬浩一鳥居 淳水野正之枝廣正人NECSDM2007-147 ICD2007-75
システム・オン・チップ(SOC)上に集積されるコア数が増加し、また様々な周波数のクロックが要求されるのにともない、クロッ... [more] SDM2007-147 ICD2007-75
pp.35-40
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
12:50
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]DVS/DVFS技術による低電力化の今後
水野弘之日立SDM2007-148 ICD2007-76
LSIの低電力化手法であるDVS/DVFS技術について、その有効性と課題の両面で考察を行った。有効性については、充放電電... [more] SDM2007-148 ICD2007-76
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
13:40
北海道 北見工業大学 システムLSIにおける各種電源方式の比較
花見 智渡辺重佳小林 学高畠俊徳湘南工科大SDM2007-149 ICD2007-77
 [more] SDM2007-149 ICD2007-77
pp.47-50
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
14:05
北海道 北見工業大学 各種リーク電流を考慮した2電源型システムLSIの高速低消費電力設計法
渡辺重佳花見 智小林 学高畠俊徳湘南工科大SDM2007-150 ICD2007-78
 [more] SDM2007-150 ICD2007-78
pp.51-56
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
14:35
北海道 北見工業大学 消費エネルギー最小化のための最適電源電圧決定回路
池永佳史野村昌弘中澤陽悦萩原靖彦NECSDM2007-151 ICD2007-79
 [more] SDM2007-151 ICD2007-79
pp.57-62
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
15:00
北海道 北見工業大学 走行時パワーゲーティングを適用した低消費電力乗算器の試作による電力評価
香嶋俊裕武田清大白井利明大久保直昭宇佐美公良芝浦工大SDM2007-152 ICD2007-80
走行時パワーゲーティングを32bit乗算器に適用した試作チップを用いて、動的なスリープ制御による消費電力の変化を実測によ... [more] SDM2007-152 ICD2007-80
pp.63-68
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
15:25
北海道 北見工業大学 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化
福岡一樹小澤 治森 涼五十嵐康人佐々木敏夫倉石 孝安 義彦石橋孝一郎ルネサステクノロジSDM2007-153 ICD2007-81
厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する.本手法はPVT変動による突入電流,復帰時間のばらつ... [more] SDM2007-153 ICD2007-81
pp.69-73
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
16:00
北海道 北見工業大学 [パネル討論]Dynamic Voltage & Frequency Scaling;ディープサブ100-nmを救えるか!
榎本忠儀中大)・入江直彦日立)・岡野 広富士通研)・崎山史朗松下電器)・中井將勝ソニー)・新居浩二ルネサステクノロジ)・野村昌弘NEC)・水野弘之日立SDM2007-154 ICD2007-82
 [more] SDM2007-154 ICD2007-82
pp.75-78
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
08:30
北海道 北見工業大学 0.18μm CMOSインバータを用いた超広帯域全差動能動RCポリフェーズフィルタ
小森山恵士北見工大)・吉田英一北見工大/パナソニック半導体システムテクノ)・矢舗 誠北見工大/富士通VLSI)・谷本 洋北見工大SDM2007-155 ICD2007-83
0.18$\mu$m CMOSプロセスで設計・試作した,通過域1MHz$\sim$100MHzの6段能動RCポリフェーズ... [more] SDM2007-155 ICD2007-83
pp.79-84
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
08:55
北海道 北見工業大学 SoCの電源雑音向け微細埋め込み型連続時間雑音検出手法
深澤光弥松野哲郎植村俊文神戸大)・秋山 励ルネサスデザイン)・影本哲哉牧野博之高田英裕ルネサステクノロジ)・永田 真神戸大SDM2007-156 ICD2007-84
SoC上の120箇所に分配された微細埋め込み型雑音検出回路は,電源雑音の連続時間モニタリングを可能にし,SoC内部の電源... [more] SDM2007-156 ICD2007-84
pp.85-90
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
09:20
北海道 北見工業大学 高圧電源線を用いたオンチップ電源線ノイズキャンセラ
中村安見高宮 真桜井貴康東大SDM2007-157 ICD2007-85
高圧電源線を用いたオンチップ電源線ノイズキャンセラを提案した.このキャンセラを90nm CMOSプロセスにより試作し,2... [more] SDM2007-157 ICD2007-85
pp.91-94
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
09:45
北海道 北見工業大学 無線駆動型Si-MEMSマイクロセンサに向けたCMOS安定化電源回路
遠藤大樹豊橋技科大)・高尾英邦豊橋技科大/JST)・木綱俊輔豊橋技科大)・澤田和明石田 誠豊橋技科大/JSTSDM2007-158 ICD2007-86
本講演は,無線駆動に向けたCMOS安定化電源回路の設計と基礎的な実験結果について報告する.無線電力供給型マイクロセンサに... [more] SDM2007-158 ICD2007-86
pp.95-100
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
11:10
北海道 北見工業大学 SOI膜厚5 nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ
清水 健平本俊郎東大SDM2007-160 ICD2007-88
(100)面極薄SOI MOSFETにおける移動度ユニバーサリティについて実験的に検討を行った。その結果、従来のバルクM... [more] SDM2007-160 ICD2007-88
pp.107-111
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