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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-06-30 to:2010-06-30」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Deoxyribonucleic Acid Sensitive Graphene Field-Effect Transistors ○J. S. Hwang・H. T. Kim（Korea Univ.）・J. H. Lee・D. M. Whang（Korea Univ./Sungkyunkwan Univ.）・S. W. Hwang（Korea Univ.）  ED2010-68 SDM2010-69 |
[more] | ED2010-68 SDM2010-69 pp.73-74 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-69 SDM2010-70 |
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] | ED2010-69 SDM2010-70 pp.75-79 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性 ○深井佳乃・栗島賢二・柏尾典秀・山幡章司（NTT） ED2010-70 SDM2010-71 |
[more] | ED2010-70 SDM2010-71 pp.81-84 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices ○Hiroyuki Okazaki・Taketomo Sato・Naoki Yoshizawa・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ） ED2010-71 SDM2010-72 |
[more] | ED2010-71 SDM2010-72 pp.85-89 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | 50-Gbit/sフィードスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール ○綱島 聡（NTT）・平田道広（NEL）・村田浩一（NTT） ED2010-72 SDM2010-73 |
50Gbit/s MUX/DEMUX用フィードスルー型広帯域パッケージ及び冶具を開発した。本パッケージの3dB帯域は>6... [more] | ED2010-72 SDM2010-73 pp.91-96 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | 94-GHz Monolithic Down-Converter for FMCW Radar Sensor using Metamorphic HEMTs ○Yong-Hyun Baek・Sang-Jin Lee・Tae-Jong Baek・Seok-Gyu Choi・Min Han・Dong-Sik Ko・Jin-Koo Rhee（Dongguk Univ.） ED2010-73 SDM2010-74 |
[more] | ED2010-73 SDM2010-74 pp.97-100 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 17:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | A Sub-Harmonic RF Transmitter Architecture with Simultaneous Power Combination and LO Leakage Cancellation ○Bongsub Song（Sogang Univ.）・Dohyung Kim（Samsung Electronics）・Jinwook Burm（Sogang Univ.） ED2010-74 SDM2010-75 |
[more] | ED2010-74 SDM2010-75 pp.101-104 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 17:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | RF Interconnect Technology for On-Chip and Off-Chip Communication ○Jongsun Kim（Hongik Univ.）・B. Byun・M.Frank Chang（Univ. of California） ED2010-75 SDM2010-76 |
[more] | ED2010-75 SDM2010-76 pp.105-108 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 09:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［基調講演］Future perspective for the mainstream CMOS technology and their contribution to green technologies ○Hiroshi Iwai（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-76 SDM2010-77 |
[more] | ED2010-76 SDM2010-77 pp.109-114 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:20 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］High Transport Si/SiGe Heterostructures for CMOS Transistors with Orientation and Strain Enhanced Mobility ○Jungwoo Oh・J. Huang・I. Ok・S. H. Lee・P. D. Kirsch・R. Jammy・Hi-Deok Lee（SEMATECH） ED2010-77 SDM2010-78 |
[more] | ED2010-77 SDM2010-78 pp.115-118 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大） ED2010-78 SDM2010-79 |
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] | ED2010-78 SDM2010-79 pp.119-124 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 11:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport ○Masumi Saitoh・Yukio Nakabayashi（Toshiba）・Ken Uchida（Tokyo Inst. of Tech.）・Toshinori Numata（Toshiba） ED2010-79 SDM2010-80 |
We present the systematic study on the performance of short-... [more] | ED2010-79 SDM2010-80 pp.125-129 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 11:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Si単一ドーパントデバイスとその特性 ○田部道晴・Daniel Moraru・Earfan Hamid・Miftahul Anwar・Arief Udhiarto・中村竜輔・三木早樹人・水野武志（静岡大） ED2010-80 SDM2010-81 |
[more] | ED2010-80 SDM2010-81 pp.131-136 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Investigation on fabrication of nanoscale patterns using laser interference lithography ○Jinnil Choi・Jung Ho・Ki-Young Dong・Eun-Mi Park・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.） ED2010-81 SDM2010-82 |
[more] | ED2010-81 SDM2010-82 pp.137-140 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 12:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Bottom-up synthesis of metal-free elementary semiconductor nanowires ○Dongmok Whang（Sungkyunkwan Univ.）・Sung Woo Hwang（Koria Univ.） ED2010-82 SDM2010-83 |
[more] | ED2010-82 SDM2010-83 pp.141-142 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 09:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of Oxide Thin Film Transistor based on SOG dielectric and solution ZnO ○Jung Ho Park・Jinnil Choi・Seongpil Chang・Ki-Young Dong・Eun-Mi Park・Byeong-Kwon Ju（Univ. of Korea） ED2010-83 SDM2010-84 |
[more] | ED2010-83 SDM2010-84 pp.143-146 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 09:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Device Simulation of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film transistors with various interfacial Dielectric layers ○Hyo-seong Seong・Ji-hoon Son・Woo-sung Kim・Hong-seung Kim（Korea Maritime Univ.）・Woo-seok Cheong（ETRI）・Nak-won Jang（Korea Maritime Univ.） ED2010-84 SDM2010-85 |
[more] | ED2010-84 SDM2010-85 pp.147-148 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Strain effects in resistor stress sensor fabricated on (001) silicon and their influences on the determination of piezoresistive coefficients ○Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.） ED2010-86 SDM2010-87 |
[more] | ED2010-86 SDM2010-87 pp.155-160 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of gas sensor using pd doped SnO2 nanotubes ○Ki-Young Dong・In-Sung Hwang・Dae-Jin Ham・Jinnil Choi・Jung-Ho Park・Jong-Heun Lee・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.） ED2010-87 SDM2010-88 |
[more] | ED2010-87 SDM2010-88 pp.161-162 |
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