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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2019年度)
「from:2019-11-21 to:2019-11-21」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 10:10 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 ○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉（静岡大）  ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76 |
[more] | ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 10:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦（静岡大）・酒井 優（山梨大）・光野徹也（静岡大） ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 |
[more] | ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 濱本昂大・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） ED2019-35 CPM2019-54 LQE2019-78 |
[more] | ED2019-35 CPM2019-54 LQE2019-78 pp.9-13 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 11:10 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性 ○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） ED2019-36 CPM2019-55 LQE2019-79 |
[more] | ED2019-36 CPM2019-55 LQE2019-79 pp.15-20 |
| ED | 2019-11-21 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ルンゲ・クッタ・フェールベルグ4次法を用いた電磁界中の電子軌道の計算精度の検証 ○池田貴大・村田英一・下山 宏（名城大） ED2019-59 |
[more] | ED2019-59 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 12:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 ○安部功二・大竹徳人（名工大） ED2019-37 CPM2019-56 LQE2019-80 |
電気化学的な還元処理を用いて酸化亜鉛（ZnO）薄膜の表面を改質することで，ZnO薄膜の光触媒活性を向上させた．光触媒活性... [more] | ED2019-37 CPM2019-56 LQE2019-80 pp.21-24 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 12:40 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | β-Ga2O3 SBDを利用したRF－DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性 ○橋川 誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁（佐賀大） ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81 |
[more] | ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝） ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した．TCADによる電界... [more] | ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 pp.29-32 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 |
GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオン... [more] | ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 pp.33-35 |
| ED | 2019-11-21 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション電流の計算 ○樋口敏春，山田洋一・佐々木正洋（筑波大） ED2019-60 |
高輝度電子源材料としてカーボンナノチューブ(CNT)が注目されている. 時間依存密度汎関数法を用いて, ① (5,5)ア... [more] | ED2019-60 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 ○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上 翼・中野貴之（静岡大） ED2019-42 CPM2019-61 LQE2019-85 |
[more] | ED2019-42 CPM2019-61 LQE2019-85 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 |
[more] | ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 pp.49-52 |
| ED | 2019-11-21 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作 ○新谷英世・村田英一・六田英治・下山 宏（名城大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2019-61 |
フィールドエミッタは陰極表面のマイグレーションやガス分子の吸着脱離によって電流特性が常に変化し続ける。そのため、微小なフ... [more] | ED2019-61 pp.9-12 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 pp.53-56 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 |
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] | ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 pp.57-60 |
| ED | 2019-11-21 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 転写モールド法微小突起型陰極アレイの誘電体膜厚による誘電体バリア放電特性 ○清水皓介・文 宗鉉（静岡大） ED2019-62 |
[more] | ED2019-62 pp.13-16 |
| ED | 2019-11-21 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ga液体金属電界放射陰極の特性評価 ○高藤祐太・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2019-63 |
液体金属薄膜を電界放射陰極先端に被覆する事で，テーラーコーン形成に必要な電界強度が電界放出(FE)に必要な電界を下回り安... [more] | ED2019-63 pp.17-20 |
| ED | 2019-11-21 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層型mA級平面電子源の開発 ○古家 遼（横浜国大/産総研）・村上勝久・長尾昌善（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大） ED2019-64 |
Graphene/SiO2/Si積層型平面電子源（グラフェン電子源）は上部電極にグラフェンを用いることで，20–30%の... [more] | ED2019-64 pp.21-24 |
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