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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-08-01 to:2014-08-01」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2014-08-01 10:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研）  ED2014-53 |
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] | ED2014-53 pp.1-6 |
| ED | 2014-08-01 11:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 ○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2014-54 |
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] | ED2014-54 pp.7-11 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| ED | 2014-08-01 14:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 ○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大） ED2014-57 |
Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在，微細化に依らない性能向上の実現のため，III-V族化合物半導体をチャ... [more] | ED2014-57 pp.25-28 |
| ED | 2014-08-01 14:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 ○竹内克彦・谷口 理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー） ED2014-58 |
低い挿入損失と良好な高調波歪特性により, Junction Pseudomorphic High Electron Mo... [more] | ED2014-58 pp.29-34 |
| ED | 2014-08-01 15:25 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブＴＦＴの作製 ○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行（NEC）・関谷 毅・染谷隆夫（東大） ED2014-59 |
フレキシブルなシート型電子デバイスへの応用に向けてカーボンナノチューブ（CNT）ネットワークを用いた印刷薄膜トランジスタ... [more] | ED2014-59 pp.35-40 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| ED | 2014-08-01 16:15 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 ○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工） ED2014-61 |
電子デバイス用GaAs半導体の表面状態に関し、硬X線光電子分光(HAXPES)による分析を行った。特に、GaAs表面の酸... [more] | ED2014-61 pp.47-50 |
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