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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2018-07-26 14:10 |
北海道 | 札幌コンベンションセンター | Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias ○Xuanhao Zhang・Xiang Chen・Hanfeng Sun・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.）  ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 |
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] | ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 pp.333-336 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 ○榎原光則・丸岡晴喜・山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-104 |
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン といった高性能な製品を作れるよう... [more] |
VLD2017-104 pp.91-96 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大） SDM2017-41 ICD2017-29 |
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] | SDM2017-41 ICD2017-29 pp.77-82 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] | SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 12:45 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | マイクロエナジーハーベスティングのための2段昇圧型チャージポンプ回路方式 ○木村知也・越智裕之（立命館大） VLD2016-46 DC2016-40 |
本稿ではオンチップ太陽電池で得られる閾値電圧以下の入力電圧を4V程度の高電圧まで効率よく昇圧する場合に有効なL1L5型2... [more] | VLD2016-46 DC2016-40 pp.13-18 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 09:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 ○橋本昌宜（阪大） SDM2016-54 ICD2016-22 |
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] | SDM2016-54 ICD2016-22 pp.53-58 |
| SDM | 2016-06-29 10:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 ○太田裕之・右田真司・服部淳一・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-34 |
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数（SS）を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] | SDM2016-34 pp.9-13 |
| VLD | 2016-03-01 17:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［記念講演］サブスレッショルド領域で動作するラッチ回路の動作安定性解析 ○鎌苅竜也・塩見 準・石原 亨・小野寺秀俊（京大） VLD2015-131 |
多くの記憶素子の基本要素として利用されるラッチ回路は集積回路設計にかかせない重要な回路である． 本稿は，ラッチ回路の... [more] |
VLD2015-131 p.117 |
| SDM | 2016-01-28 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET ○井田次郎（金沢工大） SDM2015-127 |
極低ドレイン電圧で非常に急峻なS値を持つPN-Body Tied SOI FET構造を提案しシミュレーションと試作で検討... [more] | SDM2015-127 pp.31-34 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2015-07-03 14:20 |
神奈川 | 防衛大学校 | ［招待講演］エネルギーハーベスティングのシステム回路設計 ～ 高効率な昇圧回路と低消費電力なデジタル回路設計 ～ ○岡田光司，雫 譲・廣瀬哲也（神戸大） ICD2015-22 |
本講演では、高効率· 低消費電力なエネルギーハーベスティングシステムを実現するための技術について論ずる．使用環... [more] | ICD2015-22 pp.47-52 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| ED | 2015-04-16 13:30 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | 印刷型有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御と回路応用 ○塩飽 黎・吉村悠大・竹田泰典（山形大）・福田 貴（東ソー）・福田憲二郎（山形大/JST）・熊木大介・時任静士（山形大） ED2015-1 |
将来、有機集積回路を構成するためには有機薄膜トランジスタ（TFT）の閾値電圧制御が重要となってくる。現在の有機トランジス... [more] | ED2015-1 pp.1-5 |
| VLD | 2015-03-03 15:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［記念講演］ニアスレッショルド回路設計のための基本定理 塩見 準・○石原 亨・小野寺秀俊（京大） VLD2014-172 |
ニアスレッショルド電圧動作はマイクロプロセッサのエネルギー効率を劇的に改善する有効な手法である． 本稿では経路遅延が対... [more] |
VLD2014-172 pp.109-114 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:40 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 電源電圧としきい値電圧の同時最適化が集積回路の消費エネルギーに与える影響の解析 ○竹下俊宏・西澤真一・Islam AKM Mahfuzul・石原 亨・小野寺秀俊（京大） VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62 |
トランジスタの電源電圧としきい値電圧をアプリケーションやチップの動作状況に応じて適切に設定することにより，集積回路の消費... [more] | VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62 pp.111-116 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:00 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 ○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉（東大） SDM2014-71 ICD2014-40 |
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した．このデバイスでは，オン時にVthが低下し，オフ時に... [more] | SDM2014-71 ICD2014-40 pp.51-54 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価 ○大島 梓・岸田 亮・籔内美智太郎・小林和淑（京都工繊大） SDM2014-79 ICD2014-48 |
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい る。本研究では, 65nm バルク・S... [more] |
SDM2014-79 ICD2014-48 pp.93-98 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ソース電圧シフトによるコンパレータの動的閾値制御を用いたSAR型ADCの小型、低電力化 ○米倉正樹・吉岡健太郎・石黒仁揮（慶大） SDM2014-82 ICD2014-51 |
極低電力かつ小面積の閾値制御ADC(TC-ADC)を提案する．このADCに使用されている閾値制御コンパレータ(TCC)は... [more] | SDM2014-82 ICD2014-51 pp.109-113 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-18 13:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 無線電力伝送用広ダイナミックレンジ整流回路の提案 ○榊 裕翔・黒岩史登・村口昌史・西川健二郎（鹿児島大） MW2014-80 OPE2014-49 EST2014-41 MWP2014-38 |
マイクロ波帯を用いたWPTシステムでは他の無線電力伝送方式と比較して,電力伝送可能距離が長いという特徴がある.しかし,マ... [more] | MW2014-80 OPE2014-49 EST2014-41 MWP2014-38 pp.191-196 |
| VLD | 2014-03-05 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | サブスレッショルド回路における遅延・エネルギーの温度依存性に関する実験および考察 ○櫛田浩樹・史 又華・戸川 望（早大）・宇佐美公良（芝浦工大）・柳澤政生（早大） VLD2013-161 |
バッテリー式の無線ネットワーク機器では，消費エネルギーの削減を重視するため， 供給電圧を下げる設計手法が広く用いられる... [more] |
VLD2013-161 pp.147-151 |
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