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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦（静岡大）  EID2017-30 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。ま... [more] | EID2017-30 pp.1-4 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| OME | 2017-11-17 16:05 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 結晶成長を伴うペンチルフタロシアニンのバーコート製膜における多形選択性 ○中谷光宏・大森雅志・藤井彰彦・尾崎雅則（阪大） OME2017-33 |
結晶多形を有するペンチルフタロシアニン(C5PcH2)の一軸配向薄膜をバーコート法により作製した。製膜条件の一つとして、... [more] | OME2017-33 pp.33-38 |
| MW | 2017-11-09 15:15 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナルビル | マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 ～ 成膜条件の最適化 ～ ○島 宏美（防衛大）・内田 寛（上智大）・中嶋宇史（東京理科大/JST）・岡村総一郎（東京理科大）・福田翔太郎・亀井利久（防衛大） MW2017-125 |
IoT時代の到来を背景にマイクロ波・ミリ波帯での可変多機能デバイスの開発が求められている。筆者らはこれまで印加電界によっ... [more] | MW2017-125 pp.73-77 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響 ○芹澤伽那・落合亮真・中村将大（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-39 |
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100–xBx（x = 5, 10, 15 at. %）合金膜を基板温... [more] | MR2016-39 pp.57-62 |
| SDM | 2016-10-27 10:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 ○前田康貴・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2016-74 |
フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表... [more] | SDM2016-74 pp.31-34 |
| ED | 2016-07-23 15:55 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ○三枝孝彰・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-31 |
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] | ED2016-31 pp.21-24 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 13:25 |
東京 | 中央大学 | エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係 ○中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-14 |
L10構造を持つFePt合金膜を磁気記録媒体などに応用するためには，磁化容易軸であるc軸を膜面垂直方向に制御する必要があ... [more] | MR2016-14 pp.7-12 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 13:50 |
東京 | 中央大学 | MgO単結晶基板上へのL10規則合金とCoから成る二層エピタキシャル磁性膜の形成 ○落合亮真・中村将大（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-15 |
硬磁性と軟磁性材料から構成される積層膜は異方性ナノコンポジット磁石の基礎検討や高密度垂直記録媒体への応用に向けて研究され... [more] | MR2016-15 pp.13-18 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:45 |
富山 | 富山大学 | 減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性 ○清水乙生・梅原直己・増田 敦・渡辺佳那・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2015-38 |
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより，c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について，カソードルミネ... [more] | EID2015-38 pp.97-100 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-12-11 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | L10規則構造を持つFePt/FePd積層膜の形成 ○中村将大・落合亮真・野口陽平（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2015-32 |
L10構造を持つエピタキシャルFePt, FePd単層膜，FePt/FePd二層膜および多層膜を超高真空RFマグネトロン... [more] | MR2015-32 pp.57-62 |
| OME | 2015-10-16 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 電気泳動堆積法によるダイヤモンドナノ粒子薄膜の作製 ○後藤洋介（東京農工大）・大石不二夫（神奈川大）・田中邦明・臼井博明（東京農工大） OME2015-47 |
電気泳動堆積法（EPD）を用いてダイヤモンドナノ粒子水分散液から薄膜を形成した．膜成長速度は印加電圧の上昇あるいは電極間... [more] | OME2015-47 pp.23-28 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 13:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 ○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎（広島大） SDM2015-13 OME2015-13 |
1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)... [more] | SDM2015-13 OME2015-13 pp.49-52 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 15:24 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 深紫外発光応用に向けた六方晶BN薄膜のCVD成長 ○増田 敦・梅原直己・清水乙生・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2014-45 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った．成... [more] | EID2014-45 pp.41-44 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-06-13 10:15 |
宮城 | 東北大学 | 磁性薄膜の成長制御と評価解析技術の進展 ○二本正昭（中大） MR2014-5 |
垂直磁気記録媒体の結晶配向制御技術，微細構造，ミクロ組成構造および磁化状態観察技術の歴史的な発展経緯を述べ，さらに数Tb... [more] | MR2014-5 pp.25-30 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 15:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長 ○都甲 薫・末益 崇（筑波大） SDM2014-6 OME2014-6 |
ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長G... [more] | SDM2014-6 OME2014-6 pp.27-29 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:18 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性 ○梅原直己・桑原伊織・李 惠映・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2013-14 |
BCl3とNH3を原料とする常圧の化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行っ... [more] | EID2013-14 pp.25-28 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-11-15 15:45 |
東京 | 早稲田大学 | 大きな垂直磁気異方性を持つCoフェライト薄膜の成長と特性 ～ 新しい磁気記録媒体の提案 ～ ○喜多英治・柳原英人（筑波大）・新関智彦（東北大）・鈴木和也（筑波大） MR2013-22 |
レアメタルを含まないスピネル型酸化物強磁性の電子材料への応用を目的に、スパッタ法による高品位な薄膜成長を行った。鉄酸化物... [more] | MR2013-22 pp.23-28 |
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