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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:45 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 |
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] | ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 pp.39-42 |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 16:05 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ ○軸谷直人・原 敬・伊藤彰浩・庄子浩義・上西盛聖・本村 寛・原坂和宏・菅原 悟・佐藤俊一（リコー） PN2011-49 OPE2011-165 LQE2011-151 EST2011-99 MWP2011-67 |
プリンタの書き込み光源として開発した780nm帯 40チャンネル面発光型半導体レーザ(VCSEL: Vertical C... [more] | PN2011-49 OPE2011-165 LQE2011-151 EST2011-99 MWP2011-67 pp.103-108 |
| CPM | 2011-08-11 09:50 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | シリコン酸化膜の不均一な熱分解 ○遠田義晴・小川可乃・永井孝幸（弘前大） CPM2011-68 |
Si(100)基板上に形成された20nm膜厚のシリコン熱酸化膜を，真空中1100℃で加熱し，これにより生ずる酸化膜の熱分... [more] | CPM2011-68 pp.61-64 |
| CPM | 2011-08-11 11:20 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 ○野毛 悟・梅原 猛（沼津高専）・宇野武彦（神奈川工科大） CPM2011-71 |
現在対象としている磁気光学特性に優れたセリウム置換YIG {(CexY3-x)Fe5O12, Ce:YIG}のみならず，... [more] | CPM2011-71 pp.73-78 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 pp.135-138 |
| EMD | 2010-11-11 10:30 |
海外 | 西安交通大学（中国、西安） | The Study of Dynamic Welding of Electrical Contacts in Relay Applications ○Zhuan-ke Chen・Gerald J. Witter（Chugai USA） EMD2010-74 |
As the demand for using smaller relays to switch higher load... [more] | EMD2010-74 pp.31-36 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大） ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 pp.57-60 |
| SDM | 2009-12-04 15:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） SDM2009-166 |
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] | SDM2009-166 pp.79-82 |
| ED | 2009-07-31 13:20 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | MEMS技術を用いたマイクロメタンセンサの開発 ～ 熱耐久性の改善 ～ ○高田 義・堂上長則・中田谷昌徳（新コスモス電機） ED2009-113 |
電池駆動式都市ガス警報器用センサとして、超低消費電力メタンセンサの開発が強く望まれている。このため、MEMS技術を用いた... [more] | ED2009-113 pp.57-61 |
| SDM | 2009-06-19 10:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ～ SiO2/Siとの違い ～ ○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明（早大） SDM2009-27 |
GeとOの任意の混在系を再現する原子間相互作用モデルを開発し、この相互作用モデルを用いた分子動力学シミュレーションでGe... [more] | SDM2009-27 pp.3-8 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 14:45 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 pp.17-20 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 14:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 ○堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25 |
近年環境問題に対する関心は年々高まってきている。そのため排気ガスの制御に利用される高温用酸素ガスセンサとして酸化ガリウム... [more] | ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25 pp.19-22 |
| US | 2007-11-29 14:50 |
静岡 | 静岡大学 | 水熱合成粉末によるニオブ酸カリウムセラミックスの圧電特性 ○滝口哲史・石河睦生・保坂 寛・森田 剛（東大） US2007-78 |
非鉛系圧電材料の候補の一つとして有力視されているニオブ酸カリウム（KNbO3)に注目し、水熱合成法による高品質材料粉末を... [more] | US2007-78 pp.19-24 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 16:45 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Fabrication of temperature sensor using thermopile based on Silicon on Insulator(SOI) structure ○Wang-Hoon Lee（Toyohashi Univ. of Tech.）・Young-Tae Lee（An-dong National Univ.）・Hidekuni Takao・Kazuaki Sawada・Makoto Ishida（Toyohashi Univ. of Tech.） |
[more] | |
| SDM | 2007-03-15 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 ○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] | SDM2006-255 pp.7-10 |
| ED | 2006-08-04 10:15 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | 酸化鉄ウィカーの成長とそれを用いた電子源 ○岡田守弘（静岡大/新日鐵）・根尾陽一郎（静岡大）・松本貴裕（スタンレー電気）・久保村健二（金沢工大）・三村秀典（静岡大） |
鋼板を大気中で炎で熱酸化させるという簡便な方法で、鋼板表面に直径３０～２００nm、アスペクト比１０００程度の新規な形状の... [more] | ED2006-130 pp.63-65 |
| SANE | 2006-06-21 16:25 |
茨城 | JAXA(筑波) | GOSAT搭載TANSOによる温室効果ガス観測 ○須藤洋志・久世暁彦・金子 豊・浜崎 敬（JAXA）・小熊宏之・吉田幸生・森野 勇・横田達也（国立環境研）・井上 元（名大） SANE2006-73 |
温室効果ガス観測技術衛星(GOSAT)は、宇宙航空研究開発機構（JAXA）・環境省・国立環境研究所の共同プロジェクトとし... [more] | SANE2006-73 pp.43-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 16:40 |
滋賀 | 立命館大学 | Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金 聖祐・鈴木敏正（日本工大） |
Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、... [more] | ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62 pp.79-84 |
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