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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2022-12-19 16:10 |
東京 | 東京理科大学葛飾キャンパス | フッ素ドープB型炭酸アパタイト系固体電解質の導電特性と熱安定性 ○赤松 怜・田中優実（東京理科大）  OME2022-49 |
フッ素ドープ系B型炭酸アパタイト（FCA; (Ca10-x Na2x/3)[(PO4)6-x(CO3)x][(OH)2-... [more] | OME2022-49 pp.30-32 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 13:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
sol-gel法を用いたMgSnO薄膜作製およびSnS/MgSnO薄膜太陽電池への応用 ○稲垣賢吾・高野 泰・塩田馨音（静岡大） ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65 |
FTO基板上に、sol-gel(ゾルゲル)法で酸化マグネシウムスズ(以下MTO)薄膜を作製した。その上に、真空蒸着法でS... [more] | ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65 pp.40-44 |
| CPM | 2022-03-01 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | SnS光吸収層とMgSnOバッファ層を用いた薄膜太陽電池 ○稲垣賢吾・高野 泰・水野智史（静岡大） CPM2021-80 |
FTO上にsol-gel(ゾルゲル)法で酸化マグネシウムスズ(以下MTO)薄膜を作製した。その上に、真空蒸着法で硫化スズ... [more] | CPM2021-80 pp.31-35 |
| SCE | 2022-01-21 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 厚い三層メンブレンを用いた超伝導転移端ガンマ線マイクロカロリメータの熱特性とマイクロ波多重読出 ○菊地貴大・藤井 剛（産総研）・早川亮太（都立大）・ライアン スミス（東大）・平山文紀・佐藤 泰・神代 暁・浮辺雅宏（産総研）・大野雅史（東大）・佐藤 昭・山森弘毅（産総研） SCE2021-16 |
厚いメンブレンは強い機械的強度を示す。そのため、ガンマ線マイクロカロリメータ(γ-TES)の重金属のバルク吸収体を支える... [more] | SCE2021-16 pp.22-27 |
| SCE | 2021-01-19 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 超伝導転移端型ガンマ線マイクロカロリメータの多画素化に適した三層メンブレンの熱コンダクタンスの評価 ○菊地貴大・神代 暁・早川亮大・藤井 剛・平山文紀・浮辺雅宏（産総研）・ライアン スミス・大野雅史（東大） SCE2020-18 |
我々はガンマ線を高いエネルギー分解能で検出することのできる超伝導転移端型マイクロカロリメータ（ Transition E... [more] | SCE2020-18 pp.7-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成 ○山﨑美沙・山口正樹（芝浦工大） EID2020-8 SDM2020-42 |
本研究では，水酸化バリウム水溶液，チタン乳酸錯体，水酸化ナトリウム水溶液を基本的な出発原料とした混合液を用い，インクジェ... [more] | EID2020-8 SDM2020-42 pp.29-34 |
| CPM | 2018-08-10 11:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴（弘前大） CPM2018-18 |
20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] | CPM2018-18 pp.47-52 |
| ET | 2017-01-28 16:05 |
神奈川 | 国立特別支援教育総合研究所 | 教室内温熱・空気環境のマルチポイント同期計測システムの開発 ○森 菜穂子・佐藤ゆかり・小山智史（弘前大） ET2016-91 |
教室内の温熱・空気環境は，季節や天候，冷暖房の使用や換気の有無などによって変化し，子どもの健康や学習意欲に及ぼす影響も少... [more] | ET2016-91 pp.69-73 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 14:15 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 ○和波雅也・セルバラジ シャンティ・鈴木悠平・ベルスワミィ パンディヤラサン（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・下村 勝・村上健司・池田浩也（静岡大） ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 |
高効率ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル熱電変... [more] | ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 pp.15-18 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 14:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Evaluation of wearable thermoelectric power generators by Sb-/Ag- doped ZnO nanocomposites and their properties ○Veluswamy Pandiyarasan・Jayaram Archana・Mani Navaneethan（Shizuoka Univ.）・Salleh Faiz（Univ. Malaya）・Yasuhiro Hayakawa・Hiroya Ikeda（Shizuoka Univ.） ED2015-122 SDM2015-129 |
[more] | ED2015-122 SDM2015-129 pp.7-12 |
| R | 2015-11-19 14:50 |
大阪 | 大阪中央電気倶楽部 | 反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析 ○遠藤幸一（東芝）・中村共則（浜松ホトニクス）・中前幸治（阪大） R2015-58 |
誘導負荷スイッチング(UIS)条件にあるパワー用MOSFETの表面の温度変化の観測を行った．測定装置としては光学プローブ... [more] | R2015-58 pp.11-16 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2014-10-24 14:30 |
秋田 | 秋田県立大 本荘キャンパス | 断熱導波管を用いた高感度超伝導受信モジュールの開発 ○河口民雄・塩川教次・中山浩平・山崎六月・池内裕章・加屋野博幸（東芝） EMCJ2014-64 MW2014-120 EST2014-78 |
本稿では、断熱導波管を用いて高感度高温超伝導受信モジュールの開発を行ったので報告する．断熱導波管は、表面に銀をメタライズ... [more] | EMCJ2014-64 MW2014-120 EST2014-78 pp.123-128 |
| VLD | 2014-03-05 13:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SOTBでのDVSに向けた温度モニタ回路の検討 ○和田達矢・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-160 |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide: SOTB) は、低電圧で高速動作が可能で... [more] | VLD2013-160 pp.141-146 |
| SDM | 2013-12-13 09:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-116 |
近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャ... [more] | SDM2013-116 pp.1-5 |
| EMD | 2013-11-16 09:05 |
海外 | 華中科技大学（中国・武漢） | Simulation and analysis of temperature field and thermal stress of composite contacts in electrical life test of DC relay ○Wenying Yang・Dongyuan Li（Harbin Inst. of Tech.）・Zhuanke Chen（Chugai USA）・Guofu Zhai（Harbin Inst. of Tech.） EMD2013-77 |
The dosage of precious metal and the cost can be efficiently... [more] | EMD2013-77 pp.11-14 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| SDM | 2013-06-18 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC酸化メカニズム解明への試み ～ Si酸化との共通点/異なる点 ～ ○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大） SDM2013-62 |
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには，SiC酸化メカニズムのより一層の理解が... [more] | SDM2013-62 pp.91-96 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
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