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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2021-10-27
14:00
ONLINE オンライン開催 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積
浦上法之高島健介橋本佳男信州大CPM2021-28
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] CPM2021-28
pp.31-35
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-19
13:25
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成
岸 直希岩間一樹水谷拓哉加藤慎也曽我哲夫名工大ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19
グラフェンの熱化学気相成長法による合成では、その層数や質は基板に用いる金属の種類に依存することが知られている。これまでに... [more] ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19
pp.5-8
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:00
愛知 豊橋技科大VBL棟 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成
岸 直希岩田鷹明岩間一樹包 建峰劉 会濤曽我哲夫名工大ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラ... [more] ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
pp.1-4
OME, IEE-DEI
(連催)
2013-01-24
16:25
愛知 ウィンクあいち カーボンナノチューブへの強磁性金属の内包と磁気特性制御
長田 篤佐藤英樹久保中伸雄藤原裕司三重大OME2012-88
強磁性金属を内包したカーボンナノチューブ(CNT)は、高アスペクト比形状に起因する長軸方向への形状磁気異方性を持つことか... [more] OME2012-88
pp.25-29
SDM 2009-12-04
15:50
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成
広重康夫東 清一郎宮崎祐介松本和也宮崎誠一広島大SDM2009-166
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] SDM2009-166
pp.79-82
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道 かでる2・7(札幌) 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
大来英之星 真一丸井俊治伊藤正紀戸田典彦森野芳昭玉井 功佐野芳明関 昇平OKIED2008-105 SDM2008-124
 [more] ED2008-105 SDM2008-124
pp.341-345
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
14:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス SiC薄膜成長と水素添加熱分解によるカーボンナノ構造
小川泰弘橋本佳孝中村篤志田中 昭天明二郎静岡大
アモルファスSiC薄膜の熱分解によるカーボンナノ構造形成を行なった。アモルファスSiC薄膜はヘキサメチルジシラン(HMD... [more]
ED 2006-08-03
14:15
大阪 大阪大学 コンベンションセンター カーボンナノチューブ束ピラー配列からの電界電子放出特性と安定性の評価
藤井俊治郎河合秀泰石田憲弘町田博宣尾浦憲治郎本多信一片山光浩阪大
熱化学気相成長(CVD)法により,カーボンナノチューブ(CNT)束ピラー配列を作製し,電界電子放出特性と安定性の評価を行... [more] ED2006-120
pp.17-20
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