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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 16:40 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御 ○二本正昭・大竹 充（中大）  EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 |
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] | EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 pp.31-36 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 11:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | L10-FePt薄膜の表面形態と結晶性に及ぼす下地層の影響 ○清水智貴・中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-40 |
L10構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには，膜表面平坦性を制御する必要がある．しかしな... [more] | MR2016-40 pp.63-67 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 | Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御 ○徐 倩茜・加藤剛志・岩田 聡・綱島 滋（名大） MR2009-62 |
マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオ... [more] | MR2009-62 pp.21-26 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討 ○北林直人・今村明博・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） OPE2007-24 LQE2007-25 |
将来の近距離大容量光ネットワークにおいては，WDMシステムに対応した小型・簡易・集積化可能な光トランシーバが要求される．... [more] | OPE2007-24 LQE2007-25 pp.41-46 |
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