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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-10-25
10:50
福岡 福岡交通センタービル 博多バスターミナル [招待講演]完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 ~ スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 ~
介川裕章猪俣浩一郎三谷誠司物質・材料研究機構MR2013-18
強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合(MTJ)は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドラ... [more] MR2013-18
pp.35-40
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
16:35
東京 中央大学 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討
伊藤順一與田博明藤田 忍下村尚治北川英二安部恵子野村久美子野口紘希東芝MR2013-13
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] MR2013-13
pp.37-41
ICD 2013-04-11
13:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies
Tetsuo EndohTohoku Univ.ICD2013-5
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては,性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており,低消費電力かつ高... [more] ICD2013-5
pp.21-26
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2012-03-16
16:35
愛知 名古屋大学 電流磁壁駆動磁性細線デバイスの基本動作に関する研究
粟野博之池田浩太郎兼平冬馬Duc The Ngo豊田工大MR2011-48
全固体磁気メモリである磁性細線メモリは、機械駆動部分がないため信頼性が高くデータの長期保存が可能であり、アクセス時が早く... [more] MR2011-48
pp.43-50
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2012-01-20
09:00
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 超高精細スピン注入型空間光変調素子の光変調特性
町田賢司船橋信彦青島賢一加藤大典久我 敦菊池 宏NHK)・石橋隆幸長岡技科大)・清水直樹NHKMR2011-37
視域角の広い電子ホログラフィーの実現を目指し,サブミクロン磁性体に電流を流すことによって高速スイッチングが可能なスピン注... [more] MR2011-37
pp.41-46
QIT
(第二種研究会)
2011-11-21
14:40
大阪 大阪大学基礎工学研究科国際棟 [ポスター講演]強磁性絶縁体を用いたジョセフソンπ接合の理論
中村周平相馬聡文小川真人神戸大)・川畑史郎産総研
最近固体量子ビットの有力候補として強磁性体ジョセフソン接合に関する研究が盛んに行われている.
しかしながら,強磁性金属... [more]

MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-10-13
15:00
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 [招待講演]NiFe/MgO/Ag接合を用いた面内スピンバルブ構造におけるスピン蓄積信号の増大
福間康裕王 楽理研)・井土 宏東大)・大谷義近東大/理研MR2011-12
面内スピンバルブ構造を用いた非局所スピン注入法は、純スピン流に関する学理のみならず新しいスピントロニクス素子を実現する手... [more] MR2011-12
pp.19-23
ED 2011-07-30
14:20
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析
藤田昌成斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-56
本研究では、InSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性を利用し、スピン偏極した電流電圧特性の解析を行った。InSbは... [more] ED2011-56
pp.97-102
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-07-15
16:45
東京 中央大学 後楽園キャンパス 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン
高岸雅幸岩崎仁志橋本 進東芝MR2011-7
記録密度2Tb/in2 to 5Tb/in2のハードディスクドライブ(HDD)で使用可能な再生素子のパフォーマンスをスピ... [more] MR2011-7
pp.49-53
SDM, ED
(共催)
(第二種研究会)
2011-06-29
- 2011-07-01
海外 Legend Hotel Analysis of spin-polarized current using InSb/AlInSb resonant tunneling diodes
Masanari FujitaMitsufumi SaitoMichihiko SuharaTokyo Metropolitan Univ.
 [more]
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2011-01-20
14:45
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
升方康智石橋翔太冨田博之阪大)・関 貴之前原大樹産総研)・野崎隆行阪大)・久保田 均福島章雄湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大MR2010-55
我々は、低い臨界スイッチング電流を示す、Fe-rich組成CoFeBをフリー層に有するトンネル磁気接合素子を用い、スピン... [more] MR2010-55
pp.17-19
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-10-15
11:45
秋田 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 [招待講演]FePt垂直スピン注入源を用いたAuにおける巨大スピンホール効果
関 剛斎菅井 勇東北大)・三谷誠司物質・材料研究機構)・高梨弘毅東北大MR2010-33
非磁性体のスピン軌道相互作用に起因したスピンホール効果は、強磁性体を用いなくともスピン流-電流の変換が可能となるため、新... [more] MR2010-33
pp.71-76
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
14:35
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用
井口智明丸亀孝生棚本哲史杉山英行石川瑞恵斉藤好昭東芝SDM2010-147 ICD2010-62
スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET(Spin-transfer-Torque Switching ... [more] SDM2010-147 ICD2010-62
pp.125-129
SS 2010-08-05
14:15
北海道 旭川市民文化会館 モバイルFeliCa ICチップ開発におけるSPINを用いたモデル検査による品質確保
只野賢二栗田太郎フェリカネットワークスSS2010-21
モバイル FeliCa IC チップのファームウェアの品質向上手法として,モデル検査器である SPIN を用いて, C ... [more] SS2010-21
pp.29-34
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2010-06-10
14:00
宮城 東北大学電気通信研究所 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性
高岸雅幸山田健一郎岩崎仁志福家ひろみ橋本 進東芝MR2010-2
平方インチあたり2テラビット(2Tb/in2)から5テラビット(5Tb/in2)の記録密度のハードディスク(HDD)を実... [more] MR2010-2
pp.13-19
MBE 2010-05-21
13:50
富山 富山大学 生体磁気計測を目指した超高感度光ポンピング原子磁気センサの開発 ~ 計測感度と帯域幅のセンサ動作条件依存性に関する検討 ~
鎌田啓吾田上周路京大)・石川 潔兵庫県立大)・小林哲生京大MBE2010-3
我々は,脳磁図や心磁図等の生体磁気計測を目標として超高感度光ポンピング原子磁気センサを開発している.センサのふるまいは,... [more] MBE2010-3
pp.13-18
ICD 2010-04-22
15:45
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2010-10
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 n... [more] ICD2010-10
pp.53-57
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2010-03-12
16:20
愛知 名古屋大学 強磁性La2NiMnO6トンネルバリアを用いたスピンフィルター効果の評価
桂木敏文宮崎悠也志治佑一田中雅章壬生 攻名工大)・近藤浩太京大)・葛西伸哉物質・材料研究機構)・小野輝男京大MR2009-65
強磁性絶縁体La2NiMnO6のスピンフィルター効果を検証するために,SrTiO3基板上にLa0.7Sr0.3MnO3(... [more] MR2009-65
pp.39-43
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-11-13
16:00
東京 早稲田大学 ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性
佐藤 陽星野勝美岡村 進加藤恵三星屋裕之日立MR2009-34
ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR 比,およびバイアス電圧依存性について検討... [more] MR2009-34
pp.31-34
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-08
13:55
福岡 福岡交通センター [招待講演]スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM)
高橋宏昌伊藤顕知早川 純三浦勝哉山本浩之山ノ内路彦小埜和夫竹村理一郎河原尊之日立)・佐々木龍太郎東北大)・長谷川晴弘東北大/日立)・池田正二東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more]
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