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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2021-10-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 ○佐々木祐弥・長内公哉・大谷優介・室野優太・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史・中澤日出樹（弘前大）  CPM2021-26 |
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] | CPM2021-26 pp.23-28 |
| OPE, OCS, LQE (共催) |
2020-10-23 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | Mosquito法によるポリマーテーパ導波路の作製とスポットサイズ変換器応用のための理論解析 ○小林佑衣・矢加部 祥・阪口洋至・石榑崇明（慶大） OCS2020-16 OPE2020-39 LQE2020-19 |
近年のクラウドコンピューティングサービスの急拡大に伴い，データセンタネットワークの広帯域化要求が高まっている．このデータ... [more] | OCS2020-16 OPE2020-39 LQE2020-19 pp.42-47 |
| SDM | 2019-06-21 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 ○筒井一生（東工大）・松下智裕（高輝度光科学研究センター）・名取鼓太郞・小川達博（東工大）・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・森川良忠（阪大）・星井拓也・角嶋邦之・若林 整（東工大）・林 好一（名工大）・松井文彦（分子科学研）・木下豊彦（高輝度光科学研究センター） SDM2019-30 |
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] | SDM2019-30 pp.23-27 |
| EST | 2019-05-17 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化 ○平野拓一（東京都市大）・水野麻弥（NICT）・李 寧（上智大）・井上 剛・曽我部正嗣（住重アテックス）・岡田健一（東工大） EST2019-5 |
高周波電磁界のCMOSシリコン(Si)基板での損失を低減するために水素(H)またはヘリウム(He)のイオンを照射する技術... [more] | EST2019-5 pp.19-23 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 10:25 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | シリコン集積素子の光I/O ～ グレーティングカプラの出力安定化／スポットサイズ変換器の突合せ接続 ～ ○徳島正敏・牛田 淳・屋敷健一郎・堀川 剛・蔵田和彦（光電子融合基盤技研） LQE2017-12 |
光入出力（I/O）デバイスであるグレーティングカプラ（GC）とスポットサイズ変換器（SSC）の個々についてそれぞれの課題... [more] | LQE2017-12 pp.49-52 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ ○植竹理人・高林和雅・木村徳治・山本剛之（富士通研）・山口正臣・高田 幹・武政敬三・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） OPE2015-17 LQE2015-27 |
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] | OPE2015-17 LQE2015-27 pp.35-38 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2015-01-23 15:45 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 ○田原貴之（京大）・佐々木智生（TDK）・安藤裕一郎（京大）・亀野 誠（阪大）・小池勇人・及川 亨（TDK）・鈴木淑男（AIT）・白石誠司（京大） MR2014-43 |
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] | MR2014-43 pp.19-24 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:45 |
京都 | 京都大学 | 空孔率制御によるポーラスシリコン膜の自己組織的3次元微細構造形成 ○石黒敬太・出野上真樹・青木画奈・藤井 稔（神戸大） EID2014-31 SDM2014-126 |
シリコン (Si) は電子デバイスの根幹を担うだけでなく、プロジェクタに内蔵されるDigital Mirror Devi... [more] | EID2014-31 SDM2014-126 pp.95-98 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 09:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討 ○矢尾裕樹・平野拓一・李 寧・岡田健一・松澤 昭・広川二郎・安藤 真（東工大）・井上 剛・正岡章賀・坂根 仁（住重試験検査） PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 |
Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている. Si結晶に照射したイオンによ... [more] | PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 pp.181-185 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ ○田中信介・鄭 錫煥・秋山知之・関口茂昭・倉橋輝雄・田中 有・森戸 健（光電子融合基盤技研/富士通研） OPE2013-16 LQE2013-26 |
シリコン(Si)基板上に形成した集積光I/O素子は小型で大規模集積が可能であり、将来のスーパーコンピュータやハイエンドサ... [more] | OPE2013-16 LQE2013-26 pp.49-53 |
| OME | 2013-03-05 15:45 |
佐賀 | 産総研九州センター | ［招待講演］シリコンに共有結合により接合したアルキル自己集積化単分子膜の表面電位と電子状態 ○杉村博之・下阪健治・ヘレラ マービン・ウスタリス・一井 崇・邑瀬邦明（京大） OME2012-100 |
水素終端化シリコン(Si)表面での有機分子の光励起化学反応によって，鎖長の異なる４種類のアルキル自己集積化単分子膜(Se... [more] | OME2012-100 pp.41-46 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 14:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | SiGe/Si細線導波路構造による省電力光スイッチ・可変光減衰器 ○関口茂昭・朱 雷・倉橋輝雄・河口研一・森戸 健（富士通研） R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 |
シリコンプラットフォーム上のキャリアプラズマを利用した導波路型光アクティ ブデバイスの省電力化・小型化には，高効率な... [more] |
R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 pp.115-120 |
| LQE, LSJ (共催) |
2012-05-25 11:05 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源 ○羽鳥伸明（光電子融合基盤技研/PECST）・岡野 誠（PECST/産総研）・石坂政茂・清水隆徳・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研/PECST）・森 雅彦（PECST/産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研/PECST）・荒川泰彦（PECST/東大） LQE2012-4 |
光電子融合システムの実現に向けて，ハイブリッド集積光源用として新しいトライデント型スポットサイズ変換器(SSC)を開発し... [more] | LQE2012-4 pp.15-20 |
| OPE | 2009-12-18 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | 電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光 ○中 良弘・曽根田真也・中野誠一・疋田 創・住吉 猛（熊本大）・土屋昌弘（NICT）・中村有水（熊本大） OPE2009-168 |
シリコンフォトニクスにおいて，シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μｍ以上のシリコン（Si）系発光素子の開発が重要課... [more] | OPE2009-168 pp.41-45 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 13:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application ○Jae-Kwon Kim・Kyunghwan Kim・Jinwook Burn（Sogang Univ.） ED2008-99 SDM2008-118 |
Silicon-carbide (SiC) devices have received increased attent... [more] | ED2008-99 SDM2008-118 pp.313-316 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス ○西口克彦・小野行徳・藤原 聡（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大） |
シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した．MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリ... [more] | |
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