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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
2006-06-21
16:50
広島
広島大学, 学士会館
シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術
○
森永 均
・
島岡健治
・
大見忠弘
（
東北大
）
シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロセス中に増大する。ラフネス発生機構を詳細に解析した結果、ラフネスは、驚くべき...
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SDM2006-50
pp.49-54
SDM
2006-06-22
09:25
広島
広島大学, 学士会館
Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性
○
桧山 晋
・
王 俊利
・
加藤孝義
・
平野智之
・
田井香織
・
岩元勇人
（
ソニー
）
Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化...
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SDM2006-53
pp.65-69
LQE
2006-06-02
09:35
福井
福井大学
反射法と結像法の併用による表面凹凸のハイブリッド測定システム
○
上月具挙
・
舒 芹
（
福井大
）・
當間安厚
（
北計工業
）・
菅 博
（
広島国際大
）・
石川和彦
（
福井高専
）・
桜井哲真
・
上田正紘
（
福井大
）
鏡面試料の表面うねりと粗面試料の表面粗さの両方を測定し得る光学的システムを開発した。システムは測定試料からの反射光を用い...
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LQE2006-1
pp.1-6
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