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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NLP, MSS
(併催)
2019-03-14
15:10
福井 福井大学 文京キャンパス On Stability of Consensus Control of Discrete-time Multi-agent Systems by a Single Pinning Agent
Dongwu XuToshimitsu UshioOsaka Univ.
 [more] MSS2018-87
pp.35-38
CAS, SIP, MSS, VLD
(共催)
2018-06-14
10:00
北海道 北海道大学フロンティア応用科学研究棟 マルチエージェントシステムの合意問題のための自己駆動型ピニング制御
安藤 駿小林孝一山下 裕北大
マルチエージェントシステムのピニング制御では,いくつかのエージェント(ピニングエージェント)に外部制御入力を付加する.本... [more] CAS2018-4 VLD2018-7 SIP2018-24 MSS2018-4
pp.17-21
MSS, NLP
(併催)
2018-03-14
10:45
大阪 大阪大学豊中キャンパス スケールフリーグラフで表されるマルチエージェントシステムの合意速度
坂口聡範潮 俊光阪大
マルチエージェントシステムのピニング合意問題において静的ピニング制御には合意速度に上限があることが知られている.本報告で... [more] NLP2017-109
pp.43-46
ITS, WBS, RCC
(共催)
2017-12-15
11:45
沖縄 てぃるる/沖縄県市町村自治会館 マルチエージェントシステムの合意問題のためのピニング予測制御
小林孝一北大
本論文では,マルチエージェントシステムの合意問題に対するピニング予測制御の手法を提案する.ピニング制御とは,ピニングノー... [more] WBS2017-72 ITS2017-49 RCC2017-88
pp.209-213
MSS, SS
(共催)
2017-01-27
15:20
京都 京都工芸繊維大学 60周年記念館 2階大セミナー室 マルチエージェントシステムのピニング合意における零点の影響についての一考察
坂口聡範潮 俊光阪大
本報告では,マルチエージェントシステムに対する単一エージェントのピニング制御を考える.全域木を持つグラフに対して,ピニン... [more] MSS2016-77 SS2016-56
pp.117-122
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
SDM 2015-06-19
14:35
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] SDM2015-49
pp.57-61
OME 2015-03-17
17:10
東京 東工大南4号館S421講義室 エレクトロスピニング法によるナノファイバーの透明電極への応用検討
竹中一生慶 奎弘白鳥世明慶大
本研究では高アスペクト比の極細ナノファイバー膜を作製し,これに金属を被覆することで金属ナノワイヤ透明電極を作製した.現在... [more] OME2014-89
pp.37-42
US 2014-07-11
13:10
東京 京都電子工業 東京支店 EMSシステムを用いたエマルションのレオロジー測定
中村美希保田正範官治沙奈恵京都電子)・酒井啓司東大
EMS粘度計は試料中の球プローブに外部から電磁相互作用を介してトルクを与えることで、試料にせん断を与えながら非接触で粘性... [more] US2014-25
pp.1-4
OME 2014-03-04
15:35
東京 東工大S3-201 エレクトロスピニング法を用いた酸化亜鉛ナノファイバーの形状制御と有機太陽電池への応用
福田武司Yingjie Liao鎌田憲彦本多善太郎埼玉大
逆型構造の有機薄膜太陽電池を形成するためには、高い電気伝導性を有する酸化亜鉛のナノファイバーを透明電極と有機活性層の界面... [more] OME2013-97
pp.29-32
SDM 2009-06-19
13:00
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JST
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] SDM2009-32
pp.33-38
CPM 2008-10-31
10:55
新潟 新潟大学 細管内金属ワイヤ電極を用いたエレクトロスピニング法による高分子ファイバーの作製
星野力哉小野塚信太郎大平泰生馬場 暁新保一成加藤景三金子双男新潟大
エレクトロスピニング法において、高分子溶液を満たしたテフロン細管内に銅ワイヤを挿入し、これを電極として用いてポリマーファ... [more] CPM2008-81
pp.35-40
SDM 2008-06-10
09:55
東京 東京大学(生産研 An棟) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] SDM2008-49
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:35
北海道 函館国際ホテル poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ~ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ~
由上二郎ルネサステクノロジ)・嶋本泰洋日立)・井上真雄水谷斉治林 岳志賀克哉藤田文子土本淳一大野吉和米田昌弘ルネサステクノロジ
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] SDM2005-149 ICD2005-88
pp.37-42
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