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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-27
14:05
北海道 千歳アルカディアプラザ 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作
田中大輝伊熊雄一郎慶大)・庄司雄哉桑原正史王 暁民金高健二河島 整産総研)・豊崎達也津田裕之慶大EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51
膜厚が1 µmと20 nmの相変化材料(Ge2Sb2Te5)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パ... [more] EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51
pp.127-130
OME 2010-05-27
16:20
東京 機械振興会館 環状構造を有する光応答性液晶化合物の開発
則包恭央平井友樹吉田 勝産総研OME2010-26
光に応答して相転移を起こす刺激応答性液晶材料の創製を目指して、複数個のアゾベンゼンを環状に連結した大環状アゾベンゼンを基... [more] OME2010-26
pp.45-49
EMD 2009-11-20
10:00
東京 日本工業大学 神田キャンパス 周囲雰囲気がコンタクト開離時アークのガス相移行に与える影響の研究
吉田 清澤 孝一郎日本工大EMD2009-91
 [more] EMD2009-91
pp.97-100
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
11:20
宮城 東北大学 Si導波路と相変化材料を用いた小型の自己保持型2x2光スイッチ
伊熊雄一郎慶大)・河島 整金高健二産総研)・斎木敏治津田裕之慶大EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38
Si細線導波路と相変化材料導波路を利用した、自己保持型2x2光スイッチを提案した。本スイッチは材料の相変化に伴う屈折率変... [more] EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38
pp.27-30
EMD, EMCJ
(共催)
2009-05-22
09:35
東京 日本工業大学 神田キャンパス 周囲雰囲気がコンタクト開離時アークのガス相移行に与える影響について
吉田 清山田直迪日本工大EMCJ2009-9 EMD2009-1
銀(Ag)と銀酸化物合金(AgSnO2)コンタクトのアーク継続時間とガス相移行に対する周囲気体の影響について実験的に研究... [more] EMCJ2009-9 EMD2009-1
pp.1-6
AP 2009-01-23
13:25
福岡 福岡大学 左手系導波管波長分散特性の最適化による漏れ波スロットアレー連続ビーム走査設計
川口和司榊原久二男菊間信良平山 裕名工大AP2008-182
左手系伝送線路とは位相速度が群速度と逆方向となる伝送線路であり,漏れ波アンテナに適用するとブロードサイドよりも後方への放... [more] AP2008-182
pp.185-190
US 2007-10-25
14:10
東京 明治大学(秋葉原) 固体/液体/固体構造体を伝搬する漏洩ラム波結合モードにおける負の群速度の存在範囲
西宮康治朗水谷孝一若槻尚斗筑波大)・山本 健関西大US2007-66
板波であるラム波には、位相速度の方向とは逆方向に伝搬する負の群速度が存在する。負の群速度の存在条件は、ポアソン比のみに依... [more] US2007-66
pp.9-12
AP 2007-03-09
13:20
海外 台湾(元智大学: Yuan Ze Univ.) 左手系導波管スロットアレーアンテナにおける周期構造の位相摂動量制御
池田宇宙榊原久二男菊間信良平山 裕名工大AP2006-164
左手系伝送線路とは位相速度と群速度が逆方向となる伝送線路であり,漏れ波アンテナに適用するとブロー ドサイドよりも後方への... [more] AP2006-164
pp.89-92
AP 2006-12-14
14:30
東京 機械振興会館 スタブと絞り構造の位相摂動による左手系導波管漏れ波スロットアレーアンテナの放射指向性
池田宇宙榊原久二男菊間信良平山 裕名工大AP2006-109
左手系伝送線路とは位相速度と群速度が逆方向となる伝送線路であり,漏れ波アンテナに適用するとブロードサイドよりも後方への放... [more] AP2006-109
pp.75-80
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-01-26
10:30
東京 機械振興会館 1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
半澤 悟長田健一河原尊之竹村理一郎日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・高浦則克松崎 望黒土健三守谷浩志日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ
世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more] ICD2005-206
pp.7-12
CAS 2005-01-21
15:55
石川 金沢大学 相変化不揮発性メモリの多値記録方式と回路構成
高田雅史中山和也泉 貴富北川章夫金沢大
相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化手法と回路を提案する.記録素子材料であるカルコゲナイド半導体(例えば... [more] CAS2004-79
pp.41-46
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