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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 13:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ○安部功二・久保田 佑（名工大）  ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 |
ゾル-ゲル法は，酸化亜鉛（ZnO）をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている．しかし，ゾル-ゲル法で成膜したZnO... [more] | ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 pp.33-36 |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2022-10-28 10:05 |
長野 | 信州大学＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
陽極酸化法によるメモリスタ向け酸化モリブデンの作製と評価 ○永岡千枝・ミョー タン テイ・橋本佳男（信州大） MRIS2022-14 CPM2022-45 |
抵抗変化型メモリスタの抵抗変化媒体として期待されているモリブデン酸化物を陽極酸化法によって作製し、その物性を詳細に調べた... [more] | MRIS2022-14 CPM2022-45 pp.33-36 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ～ AIデバイス応用に向けて ～ ○中村駿斗・青木裕雅・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-22 |
Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が，シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可... [more] | ED2022-22 pp.21-24 |
| OME | 2022-03-26 15:40 |
東京 | 成蹊大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
メディエータ含有空気極とLiNO3塩電解液のシナジー効果によるLi空気二次電池の性能向上 ○菅原一輝・茂呂 樹・佐野美月（成蹊大）・大塚裕美・野村晃敬（物質・材料研究機構）・堀場達雄・齋藤守弘（成蹊大） OME2021-71 |
リチウム空気電池用の空気極における大きな充電過電圧を抑制するために、レドックスメデイエータとして、10-methylph... [more] | OME2021-71 pp.23-26 |
| CPM | 2022-03-01 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大） CPM2021-73 |
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] | CPM2021-73 pp.7-10 |
| SDM | 2022-01-31 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング ○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・小林正治（東大）・吉田 宏・Min-Cheng Chen（PSMC）・Ming-Han Liao（National Taiwan Univ.）・Shou-Zen Chang（PSMC）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） SDM2021-72 |
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] | SDM2021-72 pp.16-19 |
| ED | 2021-12-09 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング ○松本直之（横浜国大/産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2021-45 |
平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2)，高放出... [more] | ED2021-45 pp.38-42 |
| CPM | 2021-10-27 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 内包型ZnOメモリスタの評価 ○木下友起・ミョー タン テイ・橋本佳男（信州大） CPM2021-32 |
メモリスタ特性の再現性向上のため、ポーラスアルミナに内包した抵抗変化媒体を有する新規構造を提案する。陽極酸化法を用いてポ... [more] | CPM2021-32 pp.46-50 |
| SDM | 2021-10-21 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大） SDM2021-44 |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] | SDM2021-44 pp.1-4 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2021-08-06 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別 ○廣田丈裕・吉河武文・岩田達哉（富山県立大） ED2021-13 |
本研究では、ガス識別に向けた単一素子として金属酸化物メモリスタを利用したガスセンサ過渡特性の特徴量パターンの取得を試みた... [more] | ED2021-13 pp.9-12 |
| NC, MBE (併催) |
2021-03-03 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 双極性電流によるタングステン微小電極の位置マーキング手法 ○及川達也・野村健人・原 利充・河野剛士・沼野利佳・鯉田孝和（豊橋技科大） MBE2020-41 |
電気生理実験では生体に刺入した微小電極の位置を解剖学的に特定する必要があるため、これまで様々なマーキング手法が開発されて... [more] | MBE2020-41 pp.15-18 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2021-03-01 14:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化膜を正孔バッファー層に用いた逆型ペロブスカイト太陽電池の作製 ○上田隆夫・佐藤光騎・伊東栄次（信州大）・小野博信・郷田 隼（日本触媒） OME2020-21 |
本研究では、浸漬によって製膜したカルバゾール誘導体の自己組織化単分子膜、またはポリマー材料と酸化グラフェン(GO)の交互... [more] | OME2020-21 pp.8-13 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| OME | 2020-12-25 13:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
異なる還元方法を用いた還元型酸化グラフェン（rGO）薄膜を使用した抵抗式ガスセンサの作製およびガスセンシング特性の評価 ○髙野晃佑・伊東栄次（信州大）・小野博信・郷田 隼（日本触媒） OME2020-8 |
本研究では酸化グラフェン水分散液から交互吸着法を用いて製膜した還元型酸化グラフェン(rGO)超薄膜の面内方向のシート抵抗... [more] | OME2020-8 pp.1-6 |
| OME | 2020-12-25 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MoO3とMgの反応により生成したMgOを陰極バッファーとして用いるタンデム型有機薄膜太陽電池の開発 ○景山 弘（琉球大） OME2020-14 |
酸化モリブデン (MoO3) と真空蒸着されたマグネシウム (Mg) との反応により生成したMgO陰極バッファーが、タン... [more] | OME2020-14 pp.29-32 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 ○山本佑平・荒牧達也・伊藤 良・木村 睦（龍谷大） EID2020-3 SDM2020-37 |
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である. 熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more] |
EID2020-3 SDM2020-37 pp.9-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ ○岩城江津子（龍谷大）・津野拓海（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2020-4 SDM2020-38 |
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] | EID2020-4 SDM2020-38 pp.13-16 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・古田 守（高知工科大） EID2020-10 SDM2020-44 |
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] | EID2020-10 SDM2020-44 pp.37-41 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 ○山田和尚・木本恒暢（京大）・西 佑介（京大/舞鶴高専） EID2020-11 SDM2020-45 |
本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた．同一の素子において、異なる二種類の... [more] | EID2020-11 SDM2020-45 pp.42-45 |
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