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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研）  ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯... [more] | ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 pp.59-62 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大） ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は小型，連続動作，狭線幅，高出力，長寿命といった特長を持つことから，簡便... [more] | ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 pp.55-58 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 11:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 pp.7-10 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 13:30 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | ［招待講演］グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ○町田友樹（東大/JST）・増渕 覚・大貫雅広・井口和之・森川 生・山口健洋・荒井美穂（東大）・渡邊賢司・谷口 尚（物質・材料研究機構） ED2012-128 SDM2012-157 |
高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた．バリスティックに伝導するディラックフェル... [more] | ED2012-128 SDM2012-157 pp.1-5 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 pp.81-85 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］III-nitride-based Visible-blind and Solar-blind Photodetectors ○Hai Lu・Rong Zhang・Youdou Zheng（School of ESE, Nanjing Univ.） |
Group-III nitride semiconductors have attracted much attenti... [more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 pp.99-104 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| CPM | 2010-10-29 09:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価 ○鈴木真一郎・村田裕亮・逸見充則・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2010-100 |
純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて，SiC表面上に窒化層を形成させた．形成させた窒化層表... [more] | CPM2010-100 pp.47-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] | ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 pp.47-50 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 08:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 ○葛原正明（福井大） ED2009-70 SDM2009-65 |
[more] | ED2009-70 SDM2009-65 pp.87-92 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki） ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nｍ程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] | ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 pp.7-12 |
| CPM | 2008-08-04 14:00 |
北海道 | 室蘭工業大学 | 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 ○福田 永（室蘭工大）・古川雅一（アリエース・リサーチ） CPM2008-41 |
本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用を目的としている。今回、300℃以下の低温領域でシ... [more] | CPM2008-41 pp.1-4 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:55 |
福井 | 福井大学 | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 pp.13-17 |
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