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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 11:55 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
層状窒化炭素膜の電荷輸送制御 ○浦上法之・橘 昌希・橋本佳男（信州大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| CPM | 2024-02-29 10:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロウェーブを用いたプラズマ支援型低温ALDによる窒化アルミニウムの試作と評価 ○髙橋知也・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）  CPM2023-99 |
窒化アルミニウムは広いバンドギャップと水・酸素への安定性からデバイスのパッシベーション膜等への応用が期待されている。本実... [more] | CPM2023-99 pp.11-14 |
| ED | 2023-12-07 14:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 ○近藤 駿（成蹊大/産総研）・中野武雄・モハメッド シュルズ ミヤ（成蹊大）・長尾昌善・村田博雅（産総研） ED2023-41 |
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法（t-HPPMS）を用いたスピント型エミ... [more] | ED2023-41 pp.11-14 |
| ED | 2023-12-08 09:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響 ○六川 蓮・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村田博雅・村上勝久（産総研） ED2023-48 |
平面型グラフェン電子源は，電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] | ED2023-48 pp.39-42 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある．最近当研究室では，レジストパターン転写による基板加工技術... [more] | ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 pp.36-39 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:45 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 |
InGaN系三次元構造は，単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である．最近我々は，傾斜角が連続的に... [more] | ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 pp.40-43 |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大） SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大） SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT） R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々... [more] | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| QIT (第二種研究会) |
2023-05-29 16:30 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | ［ポスター講演］アンチストークス励起による六方晶窒化ホウ素欠陥中心からの単一光子発生 ○岡城勇大・嶋崎幸之介・鈴木和樹（京大）・高島秀聡（千歳科技大）・Igor Aharonovich（シドニー工科大）・竹内繁樹（京大） |
近年，六方晶窒化ホウ素（hBN）単一欠陥中心は，室温で細い線幅また高輝度な単一光子発生をしめすことから，室温で動作する単... [more] | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 16:30 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 ○髙津 海・久保広太・佐藤威友（北大） ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 |
意図的にダメージを与えたp-GaN表面に対する光電気化学（PEC）エッチングの効果を調査した．n-GaN基板上に形成され... [more] | ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 pp.28-31 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 ○大石泰己・渡邊泰良・田中佑樹・増田克仁・吉岡 陸・増田希良里・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2022-8 |
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 （CVD） を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] | EID2022-8 pp.17-20 |
| ED | 2022-12-08 14:10 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大） ED2022-53 |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] | ED2022-53 pp.15-17 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:00 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系マイクロ構造がある．本研究では，テンプレート上になだらかなマイクロ構造をあ... [more] | ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 pp.85-88 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 14:10 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ○山田純平・水野 愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳（上智大） ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
本研究では、様々な面方位を用いたInGaN系ナノコラム結晶の成長とそれを用いたナノコラムμ-LEDの作製に関して検討しま... [more] | ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 pp.99-102 |
| CCS | 2022-11-17 16:50 |
三重 | シンフォニアテクノロジー響ホール伊勢 (伊勢市観光文化会館) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
発見的手法を用いた共振インダクタの最適化を含めた電力変換回路の設計手法 ○朱 聞起・小宮山裕太郎（千葉大）・魏 秀欽（千葉工大）・グエン キエン・関屋大雄（千葉大） CCS2022-51 |
近年, ワイドバンドギャップ半導体素子の実用化により, 電力変換器のスイッチング周波数をMHz以上にすることが可能となり... [more] | CCS2022-51 pp.42-46 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 ○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大） ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] | ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 pp.13-16 |
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