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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 14:20 |
ONLINE | オンライン開催 | SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究 ○浦下宗輝・小野澤 隼・北川涼太・冨田誠人・春本高志・史 蹟・中村吉男・高村陽太・中川茂樹（東工大）  MRIS2020-3 |
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては，磁化反転時に... [more] | MRIS2020-3 pp.12-15 |
| DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT (連催) |
2020-09-05 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優（東大） DE2020-14 |
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] | DE2020-14 pp.7-12 |
| HWS, VLD (共催) [詳細] |
2020-03-05 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行あり） |
［記念講演］Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance ○Reika Kinoshita・Chihiro Matsui・Atsuya Suzuki・Shouhei Fukuyama・Ken Takeuchi（Chuo Univ.） VLD2019-119 HWS2019-92 |
[more] | VLD2019-119 HWS2019-92 pp.145-150 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 15:05 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 省エネルギー二値化ニューラルネットワーク向けMTJベース積和演算回路の構成 ○千葉智貴・夏井雅典・羽生貴弘（東北大） ICD2019-32 IE2019-38 |
本稿では，二値化ニューラルネットワークハードウェアへの適用に向けた，次世代不揮発記憶素子を活用した積和演算および活性化関... [more] | ICD2019-32 IE2019-38 pp.19-24 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2019-10-17 13:00 |
福岡 | 九州大学 (西新プラザ) | 希土類磁性体を用いた無磁場中スピンオービットトルク磁化反転 ○若江将和・伊藤正裕・黒川雄一郎・大西紘平・湯浅裕美（九大） MRIS2019-15 |
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM : Magnetic Random Access Memory)は不揮発かつ高速動... [more] | MRIS2019-15 pp.1-5 |
| RECONF | 2019-09-20 10:40 |
福岡 | 北九州国際会議場 | Multi-threaded High-Level Synthesis for Bandwidth-intensive Applications ○Jens Huthmann・Auter Podobas・Takaaki Miyajima・Atsushi Koshiba・Kentaro Sano（RIKEN） RECONF2019-30 |
[more] | RECONF2019-30 pp.51-56 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| SCE | 2019-04-19 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 単一命令セットSFQマイクロプロセッサを用いたSFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムの動作実証 ○弘中祐樹・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2019-2 |
単一磁束量子 (SFQ) 回路に適合する大規模メモリシステムの実現方式として、CMOSメモリをSFQ回路と組み合わせるS... [more] | SCE2019-2 pp.7-11 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 13:45 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法 ○松井千尋・竹内 健（中大） CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 |
ストレージクラスメモリ（SCM）をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで，ハイブリッドストレー... [more] | CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 pp.29-30 |
| SDM | 2018-10-17 16:35 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ ○畑山祥吾・須藤祐司・安藤大輔・小池淳一（東北大） SDM2018-56 |
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] | SDM2018-56 pp.21-26 |
| ICD | 2018-04-20 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI ○小山 潤・関 貴子・八窪裕人・大下 智・古谷一馬・石津貴彦・熱海知昭・安藤善範・松林大介・加藤 清・奥田 高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） ICD2018-12 |
ｃ軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm（85℃）という極めて小... [more] | ICD2018-12 pp.47-52 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2018-03-07 16:10 |
島根 | 隠岐の島文化会館 | マルチポート・マルチバンクメモリを用いた大規模グラフ解析のメモリアクセスの最適化 ○寺本圭吾・窪田昌史・弘中哲夫（広島市大） CPSY2017-136 DC2017-92 |
近年，Webやソーシャルネットワークの発展により，大規模グラフ解析が重要となっている．Graph500などの大規模グラフ... [more] | CPSY2017-136 DC2017-92 pp.101-106 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2018-03-07 16:35 |
島根 | 隠岐の島文化会館 | NVDIMMを用いたメモリスナップショットの解析システム ○三須雅仁・三輪 忍・八巻隼人・本多弘樹（電通大） CPSY2017-137 DC2017-93 |
近年，DRAM DIMMに匹敵するほどのアクセス性能を有する不揮発メモリモジュール (NVDIMM: Non-Volat... [more] | CPSY2017-137 DC2017-93 pp.107-112 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2018-03-08 13:55 |
島根 | 隠岐の島文化会館 | メモリスタ論理による誤り訂正符号回路の設計と評価 ○石坂 守（奈良高専）・新谷道広・井上美智子（奈良先端大） CPSY2017-146 DC2017-102 |
抵抗変化型メモリ（Resistive RAM, ReRAM）は，高集積，高速，低消費電力の観点から，フラッシュメモリを代... [more] | CPSY2017-146 DC2017-102 pp.257-262 |
| MBE, NC, NLP (併催) |
2018-01-27 11:45 |
福岡 | 九州工業大学 | ReRAMニューロンデバイスによるニューラルパルスコーディング ○中田一紀（広島市大） NLP2017-98 |
ニューロモルフィックシステムや機械学習アルゴリズムのハードウェア実装の研究が進展している．最近では，それらの応用において... [more] | NLP2017-98 pp.63-68 |
| RECONF | 2017-09-25 14:20 |
東京 | (株)ドワンゴ | 2値化畳込みニューラルネットワークのニューロン刈りによるメモリ量削減とFPGA実現について ○藤井智也・佐藤真平・中原啓貴（東工大） RECONF2017-26 |
画像識別等の組込み機器では学習済み深層畳み込みニューラルネットワーク(CNN: deep Convolutional... [more] |
RECONF2017-26 pp.25-30 |
| SCE | 2017-08-09 13:20 |
愛知 | 名古屋大学(東山キャンパス) | 量子磁束パラメトロン回路で構成されたランダムアクセスメモリセルの評価 ○高山 広・竹内尚輝・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2017-14 |
断熱型量子磁束パラメトロン(AQFP)回路は超低消費電力な計算機システムを実現する有望な回路である。本研究では、AQFP... [more] | SCE2017-14 pp.19-23 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-03-09 15:30 |
沖縄 | 具志川農村環境改善センター | セキュアプロセッサ利用環境におけるDMAの実現手法 ○鈴木璃人・梶原拓也・宮永瑞紀・入江英嗣・坂井修一（東大） CPSY2016-138 DC2016-84 |
セキュアなプログラム実行を支援するセキュアプロセッサ利用環境下において，信頼性の保証のために，従来の外部デバイスによるD... [more] | CPSY2016-138 DC2016-84 pp.39-44 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 ○塩見俊樹・萩原祐仁・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
[more] | |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
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