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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝）  SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| SDM | 2009-06-19 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ～ Ge基板への絶縁膜形成 ～ ○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬（九大） SDM2009-35 |
We are searching MIS structure with good interface and insul... [more] | SDM2009-35 pp.51-56 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
| SDM | 2009-06-19 16:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2009-40 |
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている... [more] | SDM2009-40 pp.77-80 |
| SDM | 2009-06-19 16:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-41 |
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] | SDM2009-41 pp.81-85 |
| SDM | 2009-06-19 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-42 |
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] | SDM2009-42 pp.87-92 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ ○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝） SDM2008-129 ICD2008-39 |
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFET... [more] | SDM2008-129 ICD2008-39 pp.7-10 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 14:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］High-K Dielectric for Charge Trap-type Flash Memory Application ○Byung-Jin Cho（KAIST）・Wei He・Jing Pu（National Univ. of Singapore） ED2008-46 SDM2008-65 |
In this paper, lanthanide group oxides, AlLaOx, HfLaOx, Gd2O... [more] | ED2008-46 SDM2008-65 pp.37-41 |
| ED | 2008-06-13 14:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） ED2008-25 |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] | ED2008-25 pp.17-22 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2008-06-10 13:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2008-54 |
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] | SDM2008-54 pp.71-75 |
| SDM | 2008-06-10 14:35 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター） SDM2008-57 |
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている... [more] | SDM2008-57 pp.89-92 |
| ICD | 2008-04-17 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス） ICD2008-4 |
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速... [more] | ICD2008-4 pp.19-24 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大） R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] | R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 pp.1-6 |
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