| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:50 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，その結果より... [more] | ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 pp.67-72 |
| ICD, VLD (共催) |
2006-03-09 10:05 |
沖縄 | メルパルク沖縄 | データの局所的活性化率を考慮した高精度静的電力解析の一手法 ○山本達也・山下 優・押川克寛・福井正博（立命館大） |
論理レベルにおける電力推定手法において, 動的手法と静的手法が提案されているが，静的手法は入力ベクトルの変化率の平均に基... [more] | VLD2005-110 ICD2005-227 pp.13-18 |
| AP | 2006-01-26 16:30 |
福岡 | 福岡工業大学 | 高性能テラヘルツ波コルゲートホーンの開発 ○松永真由美（愛媛大）・松永利明（福岡工大） |
テラヘルツ波コルゲートホーンのリターンロス特性を飛躍的に向上させる一つの 構成例を紹介する．これまで提案されているコル... [more] |
AP2005-144 pp.61-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:10 |
北海道 | 函館国際ホテル | Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 ○門島 勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海 明（MIRAI-ASRC/東大） |
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more] | SDM2005-148 ICD2005-87 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～ ○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林 岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] | SDM2005-149 ICD2005-88 pp.37-42 |
| ISEC, LOIS (共催) |
2004-11-09 11:20 |
大阪 | 大阪大学 | サービスコネクタによるアクセス制御とシングルサインオンの実現 ○福田洋治（徳島大）・二宮健人・白石善明（近畿大）・森井昌克（徳島大） |
クライアント・サーバ型サービスを運用する際にサービスサーバに対して不特定多数のホスト接続を許可することは不正行為を受ける... [more] | ISEC2004-90 OIS2004-57 pp.37-43 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]