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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD 2015-03-04
13:25
沖縄 沖縄県青年会館 ゲートレベルネットリストを対象としたスコアに基づくハードウェアトロイ識別手法
大屋 優史 又華柳澤政生戸川 望早大VLD2014-182
近年,企業はデジタルICの製造コストを削減するために,チップの製造をサードパーティに外注するようになった.
サードパー... [more]
VLD2014-182
pp.165-170
RECONF, CPSY, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2015-01-30
10:50
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス トロイネットの特徴に基づくハードウェアトロイ検出手法
大屋 優史 又華柳澤政生戸川 望早大VLD2014-137 CPSY2014-146 RECONF2014-70
近年,企業はチップの製造コストを削減するために,チップの製造をサードパーティに外注するようになった.
サードパーティが... [more]
VLD2014-137 CPSY2014-146 RECONF2014-70
pp.157-162
MW, ED
(共催)
2015-01-16
09:35
東京 機械振興会館 低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ
君島正幸小山 慧大西将夫アドバンテスト研ED2014-125 MW2014-189
低ゲートリークTaONパッシベーションGaN ショットキーHEMTプロセスを用いたRFテスタフロントエンド用10MHz~... [more] ED2014-125 MW2014-189
pp.47-51
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-26
17:30
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) ハードウェアトロイに含まれるネットに着目したハードウェアトロイ検出手法
大屋 優史 又華柳澤政生戸川 望早大VLD2014-91 DC2014-45
近年チップの製造をサードパーティに外注するようになり,ハードウェアトロイが挿入される可能性が高まってきた.
特に設計段... [more]
VLD2014-91 DC2014-45
pp.135-140
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-28
10:05
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) ゲートレベルパイプライン型自己同期回路最適化の検討
伊東 敦池田 誠東大VLD2014-107 DC2014-61
微細化に伴いロバスト性の高い回路が求められており,我々の提案するDualパイプライン型自己同期回路はそれを解決しうると考... [more] VLD2014-107 DC2014-61
pp.233-238
SP, ASJ-H
(共催)
2014-10-23
14:00
和歌山 南紀白浜温泉ホテルシーモア 両耳間差による音像の分離知覚
森川大輔北陸先端大
本報告では、両耳間時間差が音像の分離知覚に与える影響を明らかにするために、4名の受聴者で両耳間時間差(ITD)または両耳... [more] SP2014-83
pp.43-48
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
SANE 2013-07-26
13:00
東京 電子航法研究所 滑走路離着陸数予測に基づく離陸待ち軽減手法の検討
住谷美登里青山久枝山田 泉マーク ブラウン電子航法研SANE2013-37
航空交通の増大に伴い、空港面の交通においても航空交通の効率性向上を目指した空港面の運用の検討が必要となっている。そのため... [more] SANE2013-37
pp.1-6
SDM 2011-07-04
13:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2011-59
次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<1011 cm-2-eV-1)と低SiO2等価膜厚(1 nm)とを同時... [more] SDM2011-59
pp.51-56
VLD 2011-03-04
13:10
沖縄 沖縄県男女共同参画センター ゲートレベルシミュレーションによるエラー検出・回復方式回路の評価
井上雅文東工大)・右近祐太高橋篤司阪大VLD2010-141
通常の同期式回路設計では,回路内で遅延エラーの発生を許容しないため,フリップフロップ間の信号伝搬遅延の最大値(最大遅延)... [more] VLD2010-141
pp.147-152
EMD, R
(共催)
2011-02-18
15:25
静岡 静岡大学(浜松キャンパス) 開放故障に伴う不安定論理の固定化
安富泰輝眞田 克高知工科大R2010-47 EMD2010-148
不安定な出力論理を有するフローティングゲート故障に対して、出力論理値を固定化する実験を行った.実験はゲートオープン故障を... [more] R2010-47 EMD2010-148
pp.31-36
SDM 2010-11-11
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大SDM2010-175
p型電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは,電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず,ソース/ドレイン活性化アニー... [more] SDM2010-175
pp.23-28
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter
Takeshi SasakiTakuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-92 SDM2010-93
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] ED2010-92 SDM2010-93
pp.177-182
ED 2010-06-18
11:50
石川 北陸先端大 ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン
渡辺大祐ダイキン工業)・木村千春青木秀充阪大ED2010-46
次世代の高誘電率材料(High-K)ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造(High-K/メタルゲート構造) における H... [more] ED2010-46
pp.69-74
EE 2010-01-22
10:15
福岡 福岡大学 E級増幅器におけるゲートドライブ消費電力のシミュレーション解析
米倉翔一郎松崎大士末次 正福岡大EE2009-42
本論文ではE級増幅器のゲートポートにおける消費電力がゲートに加えられる信号の波形によってどのように変わるかを求めた。 I... [more] EE2009-42
pp.37-40
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2009-12-04
14:05
高知 高知市文化プラザ 開放故障に伴う不安定論理の固定化 ~ 簡易な故障診断技術を目指して ~
眞田 克高知工科大)・橋田啓二ルネサスデザイン)・安富泰輝高知工科大VLD2009-64 DC2009-51
不安定な出力論理を有するフローテイングゲート故障に対して、出力論理値を固定化する実験を行った。実験はゲートオープン故障を... [more] VLD2009-64 DC2009-51
pp.161-166
NC, MBE
(併催)
2009-11-13
10:25
宮城 東北大学 ノンレム睡眠およびレム睡眠期の体性感覚応答
稲田浩之辛島彰洋片山統裕中尾光之東北大MBE2009-63
ノンレム睡眠時は視床の感覚ゲートが遮断されて、感覚情報が大脳皮質へ届きにくい状態であるとの説が広く信じられてきたが、最近... [more] MBE2009-63
pp.7-12
ED 2009-04-23
15:30
宮城 東北大学電気通信研究所 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ
金子幸広田中浩之加藤剛久嶋田恭博パナソニックED2009-5
微細化可能な新規不揮発性メモリとして,酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した.SrTiO3... [more] ED2009-5
pp.17-22
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
10:15
北海道 かでる2・7(札幌) Design of Vertical Nonvolatile Memory Device Considering Gate-Induced Barrier Lowering(GIBL)
Seongjae ChoIl Han ParkJung Hoon LeeGil Sung LeeJong Duk LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-58 SDM2008-77
Recently, various 3-D nonvolatile memory (NVM) devices have ... [more] ED2008-58 SDM2008-77
pp.95-99
VLD, CAS, SIP
(共催)
2008-06-27
09:40
北海道 北海道大学 高等教育機能開発センター 機能等価性情報を用いたRTL-GLパスマッピングの一手法
岩田大志大竹哲史藤原秀雄奈良先端大CAS2008-21 VLD2008-34 SIP2008-55
論理合成やテストの際,回路のフォールスパスの情報を用いることで論理合成時間の短縮,回路面積の削減,テスト生成時間の短縮,... [more] CAS2008-21 VLD2008-34 SIP2008-55
pp.13-18
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