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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2023-07-31
15:10
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討
三浦豊生佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2023-14
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] CPM2023-14
pp.11-12
SDM 2019-10-24
15:10
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム
前田 健大村裕弥黒田理人寺本章伸諏訪智之須川成利東北大SDM2019-65
様々な次世代メモリ材料の抵抗値を高精度に統計評価可能な抵抗測定プラットフォームについて報告する.開発したプラットフォーム... [more] SDM2019-65
pp.59-64
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
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