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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circui... [more] | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 pp.29-34 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
| ED | 2007-11-27 14:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・山下良美（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）・松井敏明（NICT） ED2007-190 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し，そのDC，... [more] | ED2007-190 pp.17-21 |
| ED | 2007-11-27 17:20 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射 ○半田大幸・細野洋平・津田祐樹・Meziani Yahya Moubarak・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2007-195 |
２重回折格子ゲートを有する高電子移動度トランジスタ構造からなる２次元プラズモン共鳴型テラヘルツ電磁波放射デバイスを試作し... [more] | ED2007-195 pp.45-50 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| SDM | 2007-06-08 11:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2007-44 |
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] | SDM2007-44 pp.71-74 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2006-10-13 16:10 |
福岡 | 九大 筑紫キャンパス | InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用 ○小林昇代・村田博司（阪大）・小杉敏彦・榎木孝知（NTT）・岡村康行（阪大） OCS2006-60 OPE2006-113 LQE2006-102 |
ミリ波帯で優れた特性を持つInP HEMT(High Electron Mobility Transistor, fT=... [more] | OCS2006-60 OPE2006-113 LQE2006-102 pp.103-108 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製 ○太田成人・森崎祐二・文 秀榮・石地正義・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits：OEIC... [more] | ED2006-33 CPM2006-20 SDM2006-33 pp.73-78 |
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